聯(lián)華電子將會(huì)提前推出采用28納米工藝制造的芯片。分析機(jī)構(gòu)相信聯(lián)華電子將能夠在第二季度或者第三季度采用UMC 28LPT技術(shù)為德州儀器生產(chǎn)OMAP5系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)。芯片代工廠聯(lián)華期待28納米生產(chǎn)工藝能夠?yàn)?012財(cái)年帶來(lái)5%左右的利潤(rùn)。

聯(lián)電CEO孫世偉于本周舉行的第四季財(cái)務(wù)電話會(huì)議中說(shuō)："由于現(xiàn)階段28納米技術(shù)與客戶進(jìn)展順利以及需求強(qiáng)烈，我們相信聯(lián)華電子一定會(huì)隨著28納米生產(chǎn)工藝的量產(chǎn)而獲得豐厚的收益。[...]我們2012財(cái)年的目標(biāo)是：28納米芯片的利潤(rùn)能夠占到公司總利潤(rùn)額的5%。"


來(lái)自 Nomura Equities Research市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)的觀察家認(rèn)為，聯(lián)電能夠在2012年第二到第三季度間為德州儀器生產(chǎn)少量的TI OMAP5 芯片。這要比他們預(yù)期早2到3個(gè)季度。（據(jù)EETimes報(bào)道，有預(yù)測(cè)聯(lián)電至少要在2012年末才能生產(chǎn)28納米工藝芯片。）

值得注意的是，聯(lián)電對(duì)于使用28納米生產(chǎn)工藝采取了保守的方法。新生產(chǎn)工藝中有三分之二產(chǎn)品會(huì)使用傳統(tǒng)的多晶硅柵+氮氧化硅絕緣層（Poly/SiON ）的柵極結(jié)構(gòu)。剩下的三分之一才會(huì)采用先進(jìn)的金屬柵極+高介電 常數(shù)絕緣層（High-k）柵結(jié)構(gòu)（HKMG）（將使用后柵極技術(shù)。）。整體而言，聯(lián)華的28納米工藝主要是針對(duì)應(yīng)用芯片、手機(jī)基帶、WLAN、平板、FPGA以及網(wǎng)絡(luò)芯片。



聯(lián)華電子認(rèn)為公司采用保守的策略（28LPT 和28HLP）能夠使其為現(xiàn)客戶提供一種簡(jiǎn)易從40納米65納米工藝過(guò)渡方案。而采用28納米HKMG技術(shù)則可以讓客戶在成本不大幅度提高成本的情況下果斷的采用新的制程從而提高未來(lái)產(chǎn)品的性能。聯(lián)電預(yù)計(jì)28納米工藝的生命周期不會(huì)太短。