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[導讀]晶圓代工廠聯(lián)電(2303)昨(29)日宣布,推出A+制程技術解決方案,持續(xù)推升8寸晶圓制造能力,聯(lián)電成為業(yè)界唯一在8寸晶圓廠中,提供最完整的0.11微米后段全鋁A+技術平臺的晶圓代工廠。 聯(lián)電表示,A+制程技術解決方

晶圓代工廠聯(lián)電(2303)昨(29)日宣布,推出A+制程技術解決方案,持續(xù)推升8寸晶圓制造能力,聯(lián)電成為業(yè)界唯一在8寸晶圓廠中,提供最完整的0.11微米后段全鋁A+技術平臺的晶圓代工廠。

聯(lián)電表示,A+制程技術解決方案可帶給客戶在主流0.13微米與0.11微米后段全銅制程之外,具有成本效益的另一選擇。此特殊的A+平臺,具備了其它晶圓代工廠所無法提供的完整技術組合,包含有邏輯制程(logic/MM)、射頻制程(RFCMOS)、嵌入式快閃存儲器制程(eFlash)、嵌入式電子抹除式可復寫唯讀存儲器制程(eEEPROM)、嵌入式高壓制程(eHV)、CMOS影像傳感器(CIS)制程等技術,以迎合客戶在集成性、產(chǎn)品效能、及成本控制上的多樣需求。

聯(lián)電亞洲事業(yè)群暨市場營銷處副總王國雍表示,由于8寸廠仍具有價格與性能優(yōu)勢,許多應用產(chǎn)品持續(xù)采用8寸晶圓制造,對于像時脈控制器、LCD控制器、遠程控制器、小尺寸屏幕驅(qū)動器、監(jiān)視器與醫(yī)療用CMOS影像傳感器等應用產(chǎn)品而言,A+即為最完美的解決方案。

王國雍表示,A+解決方案包含了全方位的技術組合,為現(xiàn)有的0.18微米或0.13/0.11微米后段全銅制程產(chǎn)品的下一代制程選擇,提供了理想的方案,使客戶得以差異化其市場定位,以獲取更強大的競爭力。

聯(lián)電表示,獨特的0.11微米A+制程平臺,結合了8寸制造技術與最先進的全鋁后段制程設計法則,以協(xié)助芯片設計公司在其0.11微米芯片產(chǎn)品的成本控制、產(chǎn)品效能與菜單現(xiàn)之間,取得最佳的平衡,可說是8寸晶圓制造的終極解決方案。

另外,全方位的A+解決方案包含了完備的矽智財、高壓橫向擴散金屬氧化物半導體(HV-LDMOS)技術、輸出入(I/O)元件、射頻模塊與被動元件等,并結合8寸晶圓廠彈性的制造能力,足以滿足客戶在產(chǎn)品量產(chǎn)上的整體需求。



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