SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(SOI Industry Consortium)和業(yè)界支持絕緣矽(silicon-on-insulator, SOI)的廠商們?nèi)涨氨硎荆呀?jīng)有新證據(jù)顯示，使用完全耗盡型的FDSOI技術(shù)，其風(fēng)險(xiǎn)將小于由英特爾所支持的FinFET。
SOI聯(lián)盟表示，最近一項(xiàng)由意法(ST)、IBM、ARM、Globalfoundries和其他半導(dǎo)體公司完成的研究，已經(jīng)以一種簡(jiǎn)單的制程，在28nm和20nm節(jié)點(diǎn)證實(shí)與FinFET具備相同的性能。

這個(gè)聯(lián)合研發(fā)計(jì)劃采用FD-SOI制程來(lái)制造28nm晶片。該聯(lián)盟表示，在這些晶片上進(jìn)行測(cè)試的結(jié)果，與之前為FD-SOI元件基準(zhǔn)性能測(cè)試所開(kāi)發(fā)的電腦模型預(yù)測(cè)一致，證實(shí)了該模型的可靠性。

“不僅基準(zhǔn)結(jié)果顯示FD-SOI可在28nm和20nm節(jié)點(diǎn)展現(xiàn)出與FinFET相同的功率和性能，F(xiàn)D-SOI可容納平面架構(gòu)的能力，也使其風(fēng)險(xiǎn)遠(yuǎn)心FinFET來(lái)得低，”SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez說(shuō)。

“這讓FD-SOI更適合對(duì)成本敏感的應(yīng)用，如智慧手機(jī)和平板電腦等，這類行動(dòng)電子產(chǎn)品等需要高性能和低功耗的解決方案。”

SOI聯(lián)盟表示，所有的模擬目前都已真，展現(xiàn)了在，所有數(shù)位元件設(shè)計(jì)中的可行性，包括運(yùn)作在0.6V低Vdd電壓的SRAM在內(nèi)。

SOI聯(lián)盟并未說(shuō)明使用SOI起始晶圓時(shí)的成本劣勢(shì)問(wèn)題。但該聯(lián)盟表示，2011年7月發(fā)布的一項(xiàng)研究顯示，采用FD-SOI晶圓制造20nm SoC的成本將比使用平面體電晶體，以及使用FinFET更加經(jīng)濟(jì)。

2011年5月，英特爾揭示了采用FinFET，被稱為1270的22nm制程細(xì)節(jié)。第一片晶圓來(lái)自于該公司位于奧勒岡州的D1D晶圓廠，并于2011年下半年在亞利桑那州的F32晶圓廠量產(chǎn)。

編譯： Joy Teng

(參考原文： FDSOI less 'risk' than FinFETs, says SOI body，by Peter Clarke)