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[導讀]王怡蘋/新竹 臺積電研究發(fā)展資深副總蔣尚義于2011年高科技產(chǎn)業(yè)論壇中,發(fā)表先進半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢,蔣尚義分析,目前半導體技術(shù)創(chuàng)新遇到的挑戰(zhàn)在于微影技術(shù)、電晶體堆疊方式的革命以及隨技術(shù)演進而攀升的成本問題,

王怡蘋/新竹 臺積電研究發(fā)展資深副總蔣尚義于2011年高科技產(chǎn)業(yè)論壇中,發(fā)表先進半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢,蔣尚義分析,目前半導體技術(shù)創(chuàng)新遇到的挑戰(zhàn)在于微影技術(shù)、電晶體堆疊方式的革命以及隨技術(shù)演進而攀升的成本問題,并指出半導體未來不只在于制造晶片,整個生產(chǎn)系統(tǒng)的革新以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)上下游合作都會是重要的趨勢。

蔣尚義分析,唯有不斷的創(chuàng)新技術(shù)才能讓臺積電持續(xù)前進,過去使用精密的光罩技術(shù),用193奈米的波長印至28奈米影像,但如今single pattern已經(jīng)走到盡頭,欲進展到20奈米的影像,必須使用double pattern的方式,2片光罩印2次,才能做到。

臺積電目前引進EUV機臺,可1次就印好,但EUV每臺要價1億美元,每小時僅能印出1.5片,產(chǎn)能及成本都還太高,若能提升到每小時100片是較理想的情況。以臺積電現(xiàn)有技術(shù)每經(jīng)過1道光罩成本都會向上攀升,在進入20奈米甚至14奈米的世代,希望可全面使用EUV及MEBDW技術(shù)。

在電晶體的堆疊方式上,22奈米到14奈米制程,將進展至以矽取代PCB板連接,稱為2.5D IC,臺積電預計于2013年小量生產(chǎn),2014年量會多一些,未來趨勢則會是晶片和晶片堆疊成3D IC,可大幅提升效率,并縮小IC體? n,但目前還很不容易,若可能應該是從記憶體IC開始,據(jù)傳三星已預計在2013年開始生產(chǎn),邏輯IC則較困難,蔣尚義認為5年內(nèi)應該都沒有可能性。

此外,臺積電也將創(chuàng)新轉(zhuǎn)向整體系統(tǒng),不只是制造晶片(IC-scaling),而是整個系統(tǒng)有何改進空間(System-scaling),增進整個系統(tǒng)的效能、模式等。

蔣尚義也指出,在現(xiàn)有證明可行的技術(shù)上,做到7奈米制程是可能的,但成本還是非常高,光是進入28奈米,對臺積電成本就已經(jīng)增加了極大的幅= ,450mm晶圓可能是降低成本的一個方法,在成本上可減少30%左右,如何構(gòu)思出更好的生產(chǎn)系統(tǒng),是臺積電目前努力的方向。

最后,相關(guān)產(chǎn)業(yè)上下游的合作(Ecosystem)也是未來必然的趨勢,臺積電需要EDA廠商、IP廠商及各IC業(yè)者合作,單打獨斗無法成功,蔣尚義表示,相關(guān)產(chǎn)業(yè)一同努力的建立起產(chǎn)業(yè)生態(tài)、降低生產(chǎn)成本,才能讓半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展、前進下去,并期待更多的



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