臺(tái)積電（TSMC）于2011年11月28日舉行“TSMC 2011 Japan Technology Symposium”，同時(shí)還舉行了新聞發(fā)布會(huì)。會(huì)上該公司研究發(fā)展副總經(jīng)理兼首席技術(shù)官孫元成（Jack Sun）對(duì)技術(shù)開發(fā)狀況作了介紹（參閱本站報(bào)道）。孫元成花較多時(shí)間介紹了該公司封裝工序（后工序）。工藝開發(fā)仍保持2年推進(jìn)1代的速度，但目前正為EUV曝光處理量提高緩慢和曝光成本上升等問題所困擾。

關(guān)于后工序，尤其是硅（Si）中介層和TSV（through Silicon via），將按照以下順序推進(jìn)實(shí)用化。首先，使用硅中介層平面配置多枚同類芯片的同質(zhì)2D預(yù)定于2012年投產(chǎn)。其次，平面配置多枚異種芯片的異質(zhì)2D估計(jì)將于2013～2014年投產(chǎn)。異質(zhì)2D較晚投產(chǎn)的原因，孫元成舉出了要確認(rèn)多種芯片全部是KGD（known good die）、評(píng)測技術(shù)比同質(zhì)2D更難等理由。另外，立體配置異類芯片的3D工藝則有望于2014年以后開始生產(chǎn)。2D工藝是在未配備晶體管的硅中介層上形成TSV，而3D工藝則是在配備晶體管的芯片上設(shè)置TSV。因此，性能模擬、評(píng)測及成品率改善等會(huì)更難。另外，3D工藝設(shè)想在邏輯IC上層疊存儲(chǔ)器時(shí)，要使邏輯IC產(chǎn)生的熱量通過存儲(chǔ)器擴(kuò)散，據(jù)稱要實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)所需的技術(shù)水平很高。

工藝開發(fā)情況方面，移動(dòng)設(shè)備用28nm“CLN28HPM”技術(shù)已開發(fā)完成，并已于2011年第三季度開始了試產(chǎn)。20nm技術(shù)方面，預(yù)定2012年第三季度開始試產(chǎn)高性能“CLN20G”、2013年1月試產(chǎn)低功耗“CLN20SoC”。20nm技術(shù)的閘密度是28nm技術(shù)的2倍，金屬布線間距為64nm。為此將引進(jìn)五項(xiàng)新技術(shù)：與二維圖案（DP）相結(jié)合的ArF液浸曝光；第5代應(yīng)變硅；第2代HKMG（高介電常數(shù)柵極絕緣膜與金屬柵極電極的結(jié)合）；局部布線及第2代低電阻Cu布線。14nm以后工藝仍將堅(jiān)持2年推進(jìn)1代的發(fā)展速度。從14nm工藝開始引進(jìn)Fin型FET。

蝕刻技術(shù)方面，28nm工藝為ArF液浸曝光，20nm工藝將引進(jìn)DP-ArF液浸曝光。對(duì)于之后的14nm目前正在開發(fā)EUV曝光和MEBDW（電子束直描），但吞吐量還都過低。目前，EUV曝光的處理量不足5片/小時(shí)，MEBDW不足1片/小時(shí)，還遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于100片/小時(shí)的目標(biāo)。鑒于這種情況，此次孫元成談到了設(shè)法延長ArF液浸曝光使用壽命的設(shè)想。具體做法是，因利用四維圖形（QP）等成本過高，因此將對(duì)DP加以改進(jìn)，使其支持14nm。關(guān)于EUV曝光和MEBDW何時(shí)用于14nm量產(chǎn)線，孫元成表示“很難回答”。（記者：長廣 恭明，Tech-On?。?