28奈米帶頭沖 臺(tái)積電明年有“春燕”
[導(dǎo)讀]2011下半年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面對(duì)一波庫(kù)存去化的壓力，景氣每況愈下，不過，臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀仍在第三季法說會(huì)中，看好年底將是庫(kù)存調(diào)節(jié)的終點(diǎn)，且28奈米(nm)制程需求持續(xù)勁揚(yáng)，亦將為臺(tái)積電挹注大量營(yíng)收成
2011下半年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面對(duì)一波庫(kù)存去化的壓力，景氣每況愈下，不過，臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀仍在第三季法說會(huì)中，看好年底將是庫(kù)存調(diào)節(jié)的終點(diǎn)，且28奈米(nm)制程需求持續(xù)勁揚(yáng)，亦將為臺(tái)積電挹注大量營(yíng)收成長(zhǎng)，至2012年底28奈米營(yíng)收可望占總體10%以上，為臺(tái)積電引來“春燕”。
臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀認(rèn)為，臺(tái)積電就太陽能及LED產(chǎn)品也持續(xù)投資新技術(shù)，未來若市場(chǎng)需求走揚(yáng)，也將投入大筆資金擴(kuò)充產(chǎn)能。
臺(tái)積電第三季法說會(huì)日前落幕，正當(dāng)業(yè)界一面倒看衰半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣時(shí)，張忠謀雖附和此一說法，表示今年在歐美債信危機(jī)及日本311大地震沖擊供應(yīng)鏈常態(tài)下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率已從年初預(yù)估的5%一路下砍到1%；而晶圓代工也僅有4%。然而，他隨后也語出驚人的指出，走到第四季末全球半導(dǎo)體庫(kù)存消化應(yīng)已觸及終點(diǎn)，需求可望反彈而啟動(dòng)新循環(huán)，故明年仍看好有3～5%的成長(zhǎng)空間。事實(shí)上，以臺(tái)積電為例，因第三季庫(kù)存調(diào)節(jié)力道強(qiáng)勁，庫(kù)存天數(shù)(DoI)已從53天降至45天的正常水位，產(chǎn)能利用率已見回升跡象。
值得注意的是，除供應(yīng)鏈需求可望復(fù)蘇，在行動(dòng)裝置出貨量持續(xù)暴漲之下，更激勵(lì)晶片商加碼投資28奈米制程晶片。張忠謀透露，截至目前為止，28奈米制程已占臺(tái)積電總營(yíng)收0.5%，預(yù)估年底占比將可再提升至2%，而明年經(jīng)過一整年的沖刺后，也可望達(dá)成總營(yíng)收占比一成以上的亮眼佳績(jī)。
也因此，張忠謀不諱言，臺(tái)積電28奈米的成長(zhǎng)曲線的確比當(dāng)初40奈米跑得更快，尤其在技術(shù)優(yōu)于其他同業(yè)之下，目前28奈米產(chǎn)線幾近滿載，且明年庫(kù)存消化完畢后需求反彈，更將挹注大量營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能；故樂觀來看，臺(tái)積電明年成長(zhǎng)將優(yōu)于全球半導(dǎo)體3～5%成長(zhǎng)率幾個(gè)百分點(diǎn)。
不過，張忠謀也提醒，由于第一季通常被視為淡季，故要到3、4月后才能看到較明顯的景氣回溫態(tài)勢(shì)，但預(yù)先布局絕對(duì)是臺(tái)積電洞見觀瞻的一步。他強(qiáng)調(diào)，今年第四季臺(tái)積電的產(chǎn)能利用率及毛利率將雙雙回升，因而更有信心擴(kuò)張28奈米產(chǎn)能，明年3月后，位于臺(tái)中的Fab15廠即會(huì)與目前的Fab12廠共同承接28奈米訂單，預(yù)計(jì)明年底Fab15廠的月產(chǎn)能將擴(kuò)充達(dá)2.4萬片12寸約當(dāng)晶圓，撐大臺(tái)積電28奈米訂單吞吐量。
另一方面，臺(tái)積電在與安謀國(guó)際(ARM)攜手完成首件采用20奈米制程生產(chǎn)的Cortex-A15處理器設(shè)計(jì)定案(Tape Out)后，對(duì)于20奈米制程于2013年正式邁入量產(chǎn)的進(jìn)度也深具信心，等同于宣告');return false;">插入大圖臺(tái)積電未來在先進(jìn)制程技術(shù)上仍持續(xù)居于領(lǐng)先地位。
更值得一提的是，張忠謀透露，臺(tái)積電瞄準(zhǔn)未來三維晶片(3D IC)的矽穿孔(TSV)制程亦已展開緊鑼密鼓的布局，并計(jì)劃打造名為CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)的整套TSV流程，整合晶圓鍵合(Wafer Bonding)、薄晶圓(Wafer Thinning)、晶片基板鍵合(Chip on Substrate)及晶片封測(cè)等技術(shù)，將各種邏輯和記憶體晶片精準(zhǔn)疊合。目前除已與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)業(yè)者談好合作方案，后續(xù)針對(duì)各個(gè)技術(shù)流程的設(shè)備投資亦已箭在弦上。
臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀認(rèn)為，臺(tái)積電就太陽能及LED產(chǎn)品也持續(xù)投資新技術(shù)，未來若市場(chǎng)需求走揚(yáng)，也將投入大筆資金擴(kuò)充產(chǎn)能。
臺(tái)積電第三季法說會(huì)日前落幕，正當(dāng)業(yè)界一面倒看衰半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣時(shí)，張忠謀雖附和此一說法，表示今年在歐美債信危機(jī)及日本311大地震沖擊供應(yīng)鏈常態(tài)下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率已從年初預(yù)估的5%一路下砍到1%；而晶圓代工也僅有4%。然而，他隨后也語出驚人的指出，走到第四季末全球半導(dǎo)體庫(kù)存消化應(yīng)已觸及終點(diǎn)，需求可望反彈而啟動(dòng)新循環(huán)，故明年仍看好有3～5%的成長(zhǎng)空間。事實(shí)上，以臺(tái)積電為例，因第三季庫(kù)存調(diào)節(jié)力道強(qiáng)勁，庫(kù)存天數(shù)(DoI)已從53天降至45天的正常水位，產(chǎn)能利用率已見回升跡象。
值得注意的是，除供應(yīng)鏈需求可望復(fù)蘇，在行動(dòng)裝置出貨量持續(xù)暴漲之下，更激勵(lì)晶片商加碼投資28奈米制程晶片。張忠謀透露，截至目前為止，28奈米制程已占臺(tái)積電總營(yíng)收0.5%，預(yù)估年底占比將可再提升至2%，而明年經(jīng)過一整年的沖刺后，也可望達(dá)成總營(yíng)收占比一成以上的亮眼佳績(jī)。
也因此，張忠謀不諱言，臺(tái)積電28奈米的成長(zhǎng)曲線的確比當(dāng)初40奈米跑得更快，尤其在技術(shù)優(yōu)于其他同業(yè)之下，目前28奈米產(chǎn)線幾近滿載，且明年庫(kù)存消化完畢后需求反彈，更將挹注大量營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能；故樂觀來看，臺(tái)積電明年成長(zhǎng)將優(yōu)于全球半導(dǎo)體3～5%成長(zhǎng)率幾個(gè)百分點(diǎn)。
不過，張忠謀也提醒，由于第一季通常被視為淡季，故要到3、4月后才能看到較明顯的景氣回溫態(tài)勢(shì)，但預(yù)先布局絕對(duì)是臺(tái)積電洞見觀瞻的一步。他強(qiáng)調(diào)，今年第四季臺(tái)積電的產(chǎn)能利用率及毛利率將雙雙回升，因而更有信心擴(kuò)張28奈米產(chǎn)能，明年3月后，位于臺(tái)中的Fab15廠即會(huì)與目前的Fab12廠共同承接28奈米訂單，預(yù)計(jì)明年底Fab15廠的月產(chǎn)能將擴(kuò)充達(dá)2.4萬片12寸約當(dāng)晶圓，撐大臺(tái)積電28奈米訂單吞吐量。
另一方面，臺(tái)積電在與安謀國(guó)際(ARM)攜手完成首件采用20奈米制程生產(chǎn)的Cortex-A15處理器設(shè)計(jì)定案(Tape Out)后，對(duì)于20奈米制程于2013年正式邁入量產(chǎn)的進(jìn)度也深具信心，等同于宣告');return false;">插入大圖臺(tái)積電未來在先進(jìn)制程技術(shù)上仍持續(xù)居于領(lǐng)先地位。
更值得一提的是，張忠謀透露，臺(tái)積電瞄準(zhǔn)未來三維晶片(3D IC)的矽穿孔(TSV)制程亦已展開緊鑼密鼓的布局，并計(jì)劃打造名為CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)的整套TSV流程，整合晶圓鍵合(Wafer Bonding)、薄晶圓(Wafer Thinning)、晶片基板鍵合(Chip on Substrate)及晶片封測(cè)等技術(shù)，將各種邏輯和記憶體晶片精準(zhǔn)疊合。目前除已與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)業(yè)者談好合作方案，后續(xù)針對(duì)各個(gè)技術(shù)流程的設(shè)備投資亦已箭在弦上。
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