連于慧／臺北 嵌入式非揮發(fā)性記憶體(embedded Non-Volatile Memory；eNVM) IP供應商力旺17日指出，將擴大與宏力半導體合作，旗下關鍵技術單次可程式(One Time Programmable；OTP)和多次可程式(Multi Time Programmable；MTP)如NeoFlash、NeoEE等，將全面導入宏力的制程平臺，預計0.13微米的OTP制程平臺將于2011年底通過可靠度驗證，而0.18微米的MTP制程平臺則預計于2012年第1季通過。

力旺表示，宏力與力旺從2005年就開始合作OTP制程平臺，陸續(xù)推出0.18微米3.3V和5V的低成本OTP制程平臺解決方案，目前投入量產(chǎn)的產(chǎn)品已有數(shù)10項。

力旺進一步表示，這次與宏力將擴大合作范圍，從既有的OTP制程平臺擴大至MTP技術上，將使整個嵌入式非揮發(fā)性記憶體制程平臺更完整，且強化技術服務支援度，滿足不同客戶的多樣化需求。

力旺NeoBit的OTP(One Time Programmable)解決方案是旗下主要的技術和營收重心，這次與宏力擴大合作OTP與MTP的IP設計服務，將提供客戶全面的嵌入式非揮發(fā)性記憶體解決方案，微控制器(MCU)是主要應用領域之一。

力旺進一步指出，除了與宏力合作的0.18微米邏輯與高電壓OTP制程平臺已完成建置，并進? J量產(chǎn)階段多年，0.13微米OTP制程平臺預計于2011年底通過可靠度驗證，緊接著0.18微米的MTP制程平臺預計于2012年第1季通過可靠度驗證，未來嵌入式非揮發(fā)性記憶體矽智財將可進入更多應用產(chǎn)品端，協(xié)助客戶降低成本。

宏力半導體企業(yè)發(fā)展與戰(zhàn)略暨法務單位副總裁傅城博士表= ，采用力旺的OTP與MTP的IP設計服務后，宏力可提供客戶極具競爭優(yōu)勢的低成本嵌入式非揮發(fā)性記憶體制程平臺，包括OTP與MTP技術，協(xié)助客戶降低制造與研發(fā)成本，并加速產(chǎn)品上市時間，尤其是在微控制器和消費性電子領域。

力旺與臺積電、力晶等晶圓廠合作多年，日前也與力晶旗下8吋晶圓代工廠鉅晶合作，以eNVM技術合作開發(fā)0.18微米OTP制程平臺，也包括3.3V和5V，主要應用于微控制器和語音晶片(Speech IC)等。
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