在先進制程邁入20奈米之際，半導體設(shè)備商正積極透過策略結(jié)盟方式發(fā)展EUV光罩缺陷檢測系統(tǒng)，以加速實現(xiàn)EUV技術(shù)應(yīng)用于20奈米節(jié)點的目標；另一方面，擁有更高晶圓缺陷檢測精準度與吞吐量的電子束晶圓缺陷檢視設(shè)備，需求也逐漸看漲。
極紫外光(EUV)技術(shù)一度被認為可用于65奈米(nm)制程節(jié)點生產(chǎn)，然該技術(shù)成熟時程卻持續(xù)延宕至20奈米，盡管EUV掃描器制造大廠艾司摩爾(ASML)正加速讓EUV技術(shù)應(yīng)用于22奈米制程，并已率先業(yè)界推出EUV微影(Lithography)設(shè)備NXE:3100，然EUV技術(shù)仍面臨缺乏光源能、零缺陷光罩等諸多發(fā)展桎梏，讓EUV設(shè)備制造商顯得力有未逮。

ASML推出的EUV工具NXE:3100，現(xiàn)已正式出貨。
為實現(xiàn)零缺陷的EUV光罩，光罩缺陷檢測系統(tǒng)不可或缺。有鑒于EUV前景可期，科磊(KLA-Tencor)正試圖透過與SEMATECH策略結(jié)盟發(fā)展光罩缺陷檢測系統(tǒng)，以加速EUV技術(shù)成熟，并藉此卡位EUV市場先機。

插旗EUV版圖KLA/SEMATECH結(jié)盟

圖1 科磊行銷長Brian Trafas(左)表示，相對于記憶體市場景氣持續(xù)低迷，受惠于晶圓廠先進制程世代交替，將為晶圓缺陷檢測系統(tǒng)帶來更大的市場機會點。右為臺灣分公司總經(jīng)理張水榮
科磊行銷長Brian Trafas(圖1左)表示，目前EUV技術(shù)成熟的時間點仍持續(xù)遞延，其中零缺陷的EUV光罩即為一大技術(shù)瓶頸，因而為科磊提供進軍EUV市場的絕佳機會，透過與半導體業(yè)者SEMATECH攜手開發(fā)光罩缺陷檢測系統(tǒng)，將有助加快EUV技術(shù)成熟的腳步。

目前，科磊已加入SEMATECH在奈米科學與工程學院(CNSE)奧爾巴尼分校的微影減少缺陷方案，該公司將于降低缺陷中心投入EUV工具和材料技術(shù)研發(fā)。

EUV藉由較目前的微影技術(shù)系統(tǒng)使用波長短十五倍的方式，使半導體擴展至10奈米甚至更小的解析度。著眼于眾多半導體供應(yīng)商預計將于2012～2013年推出22奈米制程，屆時為使先進微影技術(shù)達成大量生產(chǎn)目標，更低的缺陷密度將為關(guān)鍵，此次科磊與SEMATECH的策略合作重點將放在減少缺陷和光罩度量基礎(chǔ)建設(shè)、光源發(fā)展，以及相關(guān)量產(chǎn)及可擴展性研究。

科磊總裁暨執(zhí)行長Rick Wallace指出，科磊樂見與合作夥伴SEMATECH開發(fā)新的測量能力，以解決缺陷偵測和減少的根本問題，此對于EUV基礎(chǔ)建設(shè)至關(guān)重要。

另一方面，值此晶圓廠先進制程邁入20奈米以下的世代交替之際，讓更高晶圓缺陷檢測精準度與速度的電子束(e-beam)晶圓缺陷檢視設(shè)備重要性亦劇增。也因此，科磊瞄準20奈米及以下制程節(jié)點發(fā)表eDR-7000，將為挹注2012年可觀營收貢獻的利器。

搶攻20奈米缺陷檢測科磊eDR-7000上陣

Trafas表示，全球景氣受到日本311強震、歐美債務(wù)危機及北美居高不下的失業(yè)率波及，消費性與個人電腦(PC)市場需求萎靡，沖擊晶圓廠營收下滑，導致今年下半年至2012年景氣仍未見明朗。晶圓廠為降低制造成本，朝20奈米以下制程推進已勢在必行，將帶來缺陷成像與分類的巨大挑戰(zhàn)，亦將是科磊創(chuàng)造更高營收的一大機會點。

有鑒于此，科磊已推出靈敏度高達±100奈米，可檢視小至10奈米或位于溝槽或孔洞底部的缺陷，精準度較上一代eDR-5210高出30%，且每小時檢測晶圓缺陷數(shù)量上看五千顆的電子束晶圓檢測系統(tǒng)eDR-7000，速度比eDR-5210高二至三倍，以突破晶圓廠客戶導入20奈米及以下制程面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。

科磊電子束部門資深產(chǎn)品市場行銷經(jīng)理Christina Wang補充，該公司eDR-5210可偵測和拍攝面積達1.5微米(μ)，性能已優(yōu)于競爭對手，而eDR-7000更可縮小至1微米，競爭力更勝一籌。此外，eDR-7000解析度可達2.0奈米，與eDR-5210的1.8奈米相比，無論精確度與解析度都更為優(yōu)異。

科磊臺灣分公司總經(jīng)理張水榮(圖1右)透露，事實上，eDR-7000在歷經(jīng)臺灣晶圓廠達6個月的驗證通過后，日前科磊已向該廠商交貨，但直到近日才正式對外宣布推出。

張水榮談到，臺灣在科磊營收貢獻占有舉足輕重的地位，其中太陽能、發(fā)光二極體(LED)將為帶動營收貢獻成長的兩大動能，2011年營收貢獻比重已達7%。然現(xiàn)階段，半導體制程控制與良率管理領(lǐng)域仍為科磊最大營收貢獻來源，尤其是20奈米及以下的晶圓缺陷檢測系統(tǒng)將是主力，其涵蓋電子束晶圓缺陷檢視設(shè)備、Surfscan SP3和即將推出的晶圓檢測產(chǎn)品系列的其他產(chǎn)品。

相較于前一代的eDR-5210平臺，eDR-7000增加諸多新功能，包括第三代經(jīng)過實測的浸潤式電子束系統(tǒng)，可提升解析度和改善成像品質(zhì)；先進的平臺與振動隔離系統(tǒng)，可使座標精度提升三倍，缺陷檢視速度提升達四倍；大幅提升裸晶圓缺陷檢測靈敏度，如改進X射線能譜成分分析(EDX)等。

著眼于先進制程朝20奈米以及以下推進已勢不可當，半導體業(yè)者在產(chǎn)品線策略部署將左右開弓，一方面除將致力于EUV技術(shù)的突破，同時開發(fā)可更精確檢測20奈米晶圓缺陷來源的e-beam晶圓缺陷檢視設(shè)備，以符合市場需求。