在先進(jìn)制程邁入20奈米之際，半導(dǎo)體設(shè)備商正積極透過策略結(jié)盟方式發(fā)展EUV光罩缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，以加速實(shí)現(xiàn)EUV技術(shù)應(yīng)用于20奈米節(jié)點(diǎn)的目標(biāo)；另一方面，擁有更高晶圓缺陷檢測(cè)精準(zhǔn)度與吞吐量的電子束晶圓缺陷檢視設(shè)備，需求也逐漸看漲。
極紫外光(EUV)技術(shù)一度被認(rèn)為可用于65奈米(nm)制程節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)，然該技術(shù)成熟時(shí)程卻持續(xù)延宕至20奈米，盡管EUV掃描器制造大廠艾司摩爾(ASML)正加速讓EUV技術(shù)應(yīng)用于22奈米制程，并已率先業(yè)界推出EUV微影(Lithography)設(shè)備NXE:3100，然EUV技術(shù)仍面臨缺乏光源能、零缺陷光罩等諸多發(fā)展桎梏，讓EUV設(shè)備制造商顯得力有未逮。

ASML推出的EUV工具NXE:3100，現(xiàn)已正式出貨。
為實(shí)現(xiàn)零缺陷的EUV光罩，光罩缺陷檢測(cè)系統(tǒng)不可或缺。有鑒于EUV前景可期，科磊(KLA-Tencor)正試圖透過與SEMATECH策略結(jié)盟發(fā)展光罩缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，以加速EUV技術(shù)成熟，并藉此卡位EUV市場(chǎng)先機(jī)。

插旗EUV版圖KLA/SEMATECH結(jié)盟

圖1 科磊行銷長(zhǎng)Brian Trafas(左)表示，相對(duì)于記憶體市場(chǎng)景氣持續(xù)低迷，受惠于晶圓廠先進(jìn)制程世代交替，將為晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)帶來更大的市場(chǎng)機(jī)會(huì)點(diǎn)。右為臺(tái)灣分公司總經(jīng)理張水榮
科磊行銷長(zhǎng)Brian Trafas(圖1左)表示，目前EUV技術(shù)成熟的時(shí)間點(diǎn)仍持續(xù)遞延，其中零缺陷的EUV光罩即為一大技術(shù)瓶頸，因而為科磊提供進(jìn)軍EUV市場(chǎng)的絕佳機(jī)會(huì)，透過與半導(dǎo)體業(yè)者SEMATECH攜手開發(fā)光罩缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，將有助加快EUV技術(shù)成熟的腳步。

目前，科磊已加入SEMATECH在奈米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)奧爾巴尼分校的微影減少缺陷方案，該公司將于降低缺陷中心投入EUV工具和材料技術(shù)研發(fā)。

EUV藉由較目前的微影技術(shù)系統(tǒng)使用波長(zhǎng)短十五倍的方式，使半導(dǎo)體擴(kuò)展至10奈米甚至更小的解析度。著眼于眾多半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將于2012～2013年推出22奈米制程，屆時(shí)為使先進(jìn)微影技術(shù)達(dá)成大量生產(chǎn)目標(biāo)，更低的缺陷密度將為關(guān)鍵，此次科磊與SEMATECH的策略合作重點(diǎn)將放在減少缺陷和光罩度量基礎(chǔ)建設(shè)、光源發(fā)展，以及相關(guān)量產(chǎn)及可擴(kuò)展性研究。

科磊總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)Rick Wallace指出，科磊樂見與合作夥伴SEMATECH開發(fā)新的測(cè)量能力，以解決缺陷偵測(cè)和減少的根本問題，此對(duì)于EUV基礎(chǔ)建設(shè)至關(guān)重要。

另一方面，值此晶圓廠先進(jìn)制程邁入20奈米以下的世代交替之際，讓更高晶圓缺陷檢測(cè)精準(zhǔn)度與速度的電子束(e-beam)晶圓缺陷檢視設(shè)備重要性亦劇增。也因此，科磊瞄準(zhǔn)20奈米及以下制程節(jié)點(diǎn)發(fā)表eDR-7000，將為挹注2012年可觀營(yíng)收貢獻(xiàn)的利器。

搶攻20奈米缺陷檢測(cè)科磊eDR-7000上陣

Trafas表示，全球景氣受到日本311強(qiáng)震、歐美債務(wù)危機(jī)及北美居高不下的失業(yè)率波及，消費(fèi)性與個(gè)人電腦(PC)市場(chǎng)需求萎靡，沖擊晶圓廠營(yíng)收下滑，導(dǎo)致今年下半年至2012年景氣仍未見明朗。晶圓廠為降低制造成本，朝20奈米以下制程推進(jìn)已勢(shì)在必行，將帶來缺陷成像與分類的巨大挑戰(zhàn)，亦將是科磊創(chuàng)造更高營(yíng)收的一大機(jī)會(huì)點(diǎn)。

有鑒于此，科磊已推出靈敏度高達(dá)±100奈米，可檢視小至10奈米或位于溝槽或孔洞底部的缺陷，精準(zhǔn)度較上一代eDR-5210高出30%，且每小時(shí)檢測(cè)晶圓缺陷數(shù)量上看五千顆的電子束晶圓檢測(cè)系統(tǒng)eDR-7000，速度比eDR-5210高二至三倍，以突破晶圓廠客戶導(dǎo)入20奈米及以下制程面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。

科磊電子束部門資深產(chǎn)品市場(chǎng)行銷經(jīng)理Christina Wang補(bǔ)充，該公司eDR-5210可偵測(cè)和拍攝面積達(dá)1.5微米(μ)，性能已優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，而eDR-7000更可縮小至1微米，競(jìng)爭(zhēng)力更勝一籌。此外，eDR-7000解析度可達(dá)2.0奈米，與eDR-5210的1.8奈米相比，無論精確度與解析度都更為優(yōu)異。

科磊臺(tái)灣分公司總經(jīng)理張水榮(圖1右)透露，事實(shí)上，eDR-7000在歷經(jīng)臺(tái)灣晶圓廠達(dá)6個(gè)月的驗(yàn)證通過后，日前科磊已向該廠商交貨，但直到近日才正式對(duì)外宣布推出。

張水榮談到，臺(tái)灣在科磊營(yíng)收貢獻(xiàn)占有舉足輕重的地位，其中太陽能、發(fā)光二極體(LED)將為帶動(dòng)營(yíng)收貢獻(xiàn)成長(zhǎng)的兩大動(dòng)能，2011年?duì)I收貢獻(xiàn)比重已達(dá)7%。然現(xiàn)階段，半導(dǎo)體制程控制與良率管理領(lǐng)域仍為科磊最大營(yíng)收貢獻(xiàn)來源，尤其是20奈米及以下的晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)將是主力，其涵蓋電子束晶圓缺陷檢視設(shè)備、Surfscan SP3和即將推出的晶圓檢測(cè)產(chǎn)品系列的其他產(chǎn)品。

相較于前一代的eDR-5210平臺(tái)，eDR-7000增加諸多新功能，包括第三代經(jīng)過實(shí)測(cè)的浸潤(rùn)式電子束系統(tǒng)，可提升解析度和改善成像品質(zhì)；先進(jìn)的平臺(tái)與振動(dòng)隔離系統(tǒng)，可使座標(biāo)精度提升三倍，缺陷檢視速度提升達(dá)四倍；大幅提升裸晶圓缺陷檢測(cè)靈敏度，如改進(jìn)X射線能譜成分分析(EDX)等。

著眼于先進(jìn)制程朝20奈米以及以下推進(jìn)已勢(shì)不可當(dāng)，半導(dǎo)體業(yè)者在產(chǎn)品線策略部署將左右開弓，一方面除將致力于EUV技術(shù)的突破，同時(shí)開發(fā)可更精確檢測(cè)20奈米晶圓缺陷來源的e-beam晶圓缺陷檢視設(shè)備，以符合市場(chǎng)需求。