非揮發(fā)性相變記憶體技術(shù)長久以來一直被討論是否可取代現(xiàn)有的主動式記憶體和快閃記憶體，但迄今仍充滿爭議，因為盡管多年來有許多公司相繼投入研發(fā)，但仍未達(dá)量產(chǎn)水準(zhǔn)。
不過，盡管如此，三星的研究團(tuán)隊仍計劃在今年底(12月5~7日)的 IEDM 上，透過展示完全整合的 20nm 相變化隨機(jī)存取記憶體單元，揭示 PCM 和電阻式RAM的最新研究進(jìn)展。這個記憶體單元包含了創(chuàng)新的底部電極材料，這種材料主要是為了能獲得低于100mA重置電流所開發(fā)的，

在此同時，旺宏(Macronix International)和IBM T.JWatson研究中心的研究人員則將提出三篇論文。Paper 3.2探討具備30mA重置電流和10^9使用周期的39nm元件架構(gòu)。該團(tuán)隊在一個電極下的熱屏障中使用導(dǎo)熱效率較差的TaN。30mA的重置電流據(jù)稱已經(jīng)比前一代元件降低了90%。

另一篇Paper 3.4則說明旺宏和IBM的研究小組在鍺-銻-碲(GeSnTe，或GST)材料方面的探索成果，以及優(yōu)于GST-225材料的新發(fā)現(xiàn)。(transition temperature)幾乎高出100℃，因而具備更好的熱穩(wěn)定性。

旺宏與IBM還進(jìn)一步制造了一個128Mb的元件，該元件顯示了10^8 (1億)的耐用循環(huán)次數(shù)，耐受溫度則高達(dá)190℃。

編譯： Joy Teng

(參考原文： IEDM: PCM research moves to 20-nm，by Peter Clarke)