圖1：使用SiC的Si面時，BJT的電流放大率（點擊放大）

圖2：使用SiC的C面時，BJT的電流放大率（點擊放大）
日本京都大學副教授須田淳等的研究小組在SiC國際會議“ICSCRM 2011”上公布了正在研發(fā)的SiC制BJT（bipolar junction transistor）的最新成果。該研究小組曾在2011年5月舉行的功率半導(dǎo)體相關(guān)國際學會“ISPSD 2011”上，公布了室溫下電流放大率高達257的BJT（參閱本站報道）。而此次公布了同一BJT在高溫下工作時的電流放大率。具體為在250℃下工作時，電流放大率達到127（圖1）。據(jù)該研究組介紹，以前公布的SiC制BJT中，在250℃下工作時電流放大率沒有超過100的。

雖然BJT具有導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點，但因其屬于電流控制型，所以BJT控制電路容易變大。要彌補這個弱點，需要提高電流放大率。這樣，即使小電流也可開關(guān)BJT，有望縮小BJT控制電路的尺寸。實際電路中使用的目標電流放大率為“100”（京都大學須田），而此次在250℃的高溫下工作，電流放大率也超過了這一目標值。

上述成果是使用被稱為“Si面”的SiC結(jié)晶面取得的數(shù)值。據(jù)研究小組介紹，使用C面時，電流放大率在室溫下和250℃時，分別得到了439和165的高電流放大率（圖2）。但是由于摻雜濃度小、耐壓低的緣故，所以與原來的功率元件用SiC制BJT“不能籠統(tǒng)地進行比較”（京都大學的須田）。 （記者：根津 禎，《日經(jīng)電子》）