連于慧／臺(tái)北 日前臺(tái)積電研發(fā)資深副總蔣尚義才呼吁設(shè)備廠要多加把勁，為先進(jìn)制程技術(shù)的機(jī)臺(tái)設(shè)備研發(fā)加把勁，全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠也都努力推新設(shè)備應(yīng)戰(zhàn)。應(yīng)用材料(Applied Materials)日前表示，將針對(duì)16奈米及以下制程，開發(fā)出新一代光罩蝕刻系統(tǒng)，可解決極紫外光(EUV)部分的不足。

應(yīng)材指出，新一代Applied Centura Tetra極紫外光(EUV)先進(jìn)標(biāo)線光罩蝕刻系統(tǒng)，可讓進(jìn)行蝕刻新的深紫外光光罩更為精進(jìn)，協(xié)助讓掃除部分EUV障礙，讓半導(dǎo)體大廠在進(jìn)入16奈米制程以下時(shí)，轉(zhuǎn)而導(dǎo)入EUV機(jī)臺(tái)時(shí)可更為順利。

目前半導(dǎo)體大廠在40奈米、30奈米和20奈米等階段，都是采用193nm曝光機(jī)，而進(jìn)入16奈米、14奈米等更先進(jìn)世代后，雖然有多項(xiàng)先進(jìn)機(jī)臺(tái)設(shè)備技術(shù)還在被選擇中，但EUV技術(shù)被探討的聲浪最多。
EUV光罩與傳統(tǒng)光罩不同之處在于，傳統(tǒng)光罩會(huì)選擇性發(fā)出193nm波長光線，以將電路圖形投射到晶圓上，而在EUV所用的13.5nm波長照射下，所有光罩材料都是不透光的，因此包含復(fù)雜多層鏡面的光罩，會(huì)轉(zhuǎn)而將電路圖形反射到晶圓上。

應(yīng)材表示，新一代Applied Centura Tetra系統(tǒng)目的，就是在蝕刻新材料和對(duì)堆疊層進(jìn)行繁復(fù)制程，讓這種反射模式在運(yùn)作時(shí)，達(dá)! 到高度微影良率所需的圖形精確度、表面處理和缺陷規(guī)格等需求，這種全新光罩蝕刻技術(shù)，也能解決16奈米及以下面臨的挑戰(zhàn)。

應(yīng)用副總裁暨光罩與矽穿孔蝕刻產(chǎn)品處總經(jīng)理Ajay Kumar表示，此全新的Tetra極紫外光系統(tǒng)擴(kuò)展了新技術(shù)能力，目前多數(shù)先進(jìn)光罩制造商都使用應(yīng)材的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)Tetra蝕刻平臺(tái)，公司也會(huì)加速下一世代的設(shè)計(jì)技術(shù)腳程。

應(yīng)材Applied Centura Tetra極紫外光(EUV)先進(jìn)標(biāo)線光罩蝕刻系統(tǒng)目前已開始出貨，與幾乎所有的光罩制造商有合作關(guān)系，旨在協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)采用這項(xiàng)技術(shù)轉(zhuǎn)變，而目前16奈米以下制程屬于新世代制程，因此此款并非量產(chǎn)型機(jī)臺(tái)，據(jù)了解都是以試產(chǎn)機(jī)臺(tái)為主。

日前蔣尚義才公開指出，由于EUV技術(shù)還沒有達(dá)到預(yù)定水準(zhǔn)，希望設(shè)備廠能加把勁，因?yàn)榕_(tái)積電內(nèi)部在2012年初要針對(duì)14奈米制程做評(píng)估，會(huì)選擇采用EUV技術(shù)或是沿用Immersion 193機(jī)臺(tái)，采多重曝光(multiple patterning)方式進(jìn)行，而這項(xiàng)決定會(huì)影響2015年量產(chǎn)進(jìn)度，同時(shí)臺(tái)積電也會(huì)在201= ~要決定10奈米制程技術(shù)，如果EUV技術(shù)和多電子光束無光罩微影技術(shù)(MEB)都無法量產(chǎn)，但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是很大的挑戰(zhàn)。