聯(lián)電推面積最小MTP IP解決方案,0.18微米下半年量產(chǎn)
[導(dǎo)讀]聯(lián)電(2303)宣布,與億而得微電子的共同開發(fā)專案已成功,將推出晶圓專工業(yè)界面積最小的MTP非揮發(fā)性存儲(chǔ)器IP解決方案。0.18微米制程預(yù)期將于今年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。
聯(lián)電表示,此一解決方案將使客戶得以于單一芯片上嵌入
聯(lián)電(2303)宣布,與億而得微電子的共同開發(fā)專案已成功,將推出晶圓專工業(yè)界面積最小的MTP非揮發(fā)性存儲(chǔ)器IP解決方案。0.18微米制程預(yù)期將于今年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。
聯(lián)電表示,此一解決方案將使客戶得以于單一芯片上嵌入更多存儲(chǔ)器,借以增加更多功能并且降低整體成本。
聯(lián)電與臺(tái)灣億而得微電子所進(jìn)行的MTP非揮發(fā)性存儲(chǔ)器IP合作開發(fā),自0.35微米起至更先進(jìn)的制程與特殊技術(shù),已持續(xù)進(jìn)行數(shù)年的時(shí)間。雙方的MTP非揮發(fā)性存儲(chǔ)器IP解決方案已于0.35/0.25制程平臺(tái)量產(chǎn),而在0.11微米及以下制程的開發(fā)也正在持續(xù)進(jìn)行當(dāng)中。
聯(lián)電特殊技術(shù)開發(fā)處陳立哲資深處長表示,聯(lián)電推出了晶圓專工業(yè)界面積最小的MTP解決方案,協(xié)助客戶達(dá)到應(yīng)用產(chǎn)品高規(guī)格的技術(shù)需求。億而得微電子副總林信章表示,采用聯(lián)電經(jīng)驗(yàn)證的0.18微米制程,使客戶得以在無須增加額外光罩成本的情況下,運(yùn)行核心邏輯制程,得到最佳化的成果與縮短量產(chǎn)時(shí)程。
MTP適用于低存儲(chǔ)器密度與低覆寫次數(shù)的應(yīng)用產(chǎn)品。0.18微米MTP技術(shù)可廣泛應(yīng)用于韌體程序化,類比訊號(hào)調(diào)整等應(yīng)用產(chǎn)品上,例如中小尺寸的觸控式屏幕控制器,觸控面板控制器,一般微控制器,以及電源管理芯片等。由于其優(yōu)異的成本效益與覆寫次數(shù)上的彈性,MTP技術(shù)的重要性與日俱增。為了因應(yīng)復(fù)雜的系統(tǒng)單芯片集成需求,聯(lián)電在相同的技術(shù)平臺(tái)上,也提供了全方位eFlash與eE2PROM解決方案,以建構(gòu)更彈性的元件設(shè)計(jì)環(huán)境。
聯(lián)電表示,此一解決方案將使客戶得以于單一芯片上嵌入更多存儲(chǔ)器,借以增加更多功能并且降低整體成本。
聯(lián)電與臺(tái)灣億而得微電子所進(jìn)行的MTP非揮發(fā)性存儲(chǔ)器IP合作開發(fā),自0.35微米起至更先進(jìn)的制程與特殊技術(shù),已持續(xù)進(jìn)行數(shù)年的時(shí)間。雙方的MTP非揮發(fā)性存儲(chǔ)器IP解決方案已于0.35/0.25制程平臺(tái)量產(chǎn),而在0.11微米及以下制程的開發(fā)也正在持續(xù)進(jìn)行當(dāng)中。
聯(lián)電特殊技術(shù)開發(fā)處陳立哲資深處長表示,聯(lián)電推出了晶圓專工業(yè)界面積最小的MTP解決方案,協(xié)助客戶達(dá)到應(yīng)用產(chǎn)品高規(guī)格的技術(shù)需求。億而得微電子副總林信章表示,采用聯(lián)電經(jīng)驗(yàn)證的0.18微米制程,使客戶得以在無須增加額外光罩成本的情況下,運(yùn)行核心邏輯制程,得到最佳化的成果與縮短量產(chǎn)時(shí)程。
MTP適用于低存儲(chǔ)器密度與低覆寫次數(shù)的應(yīng)用產(chǎn)品。0.18微米MTP技術(shù)可廣泛應(yīng)用于韌體程序化,類比訊號(hào)調(diào)整等應(yīng)用產(chǎn)品上,例如中小尺寸的觸控式屏幕控制器,觸控面板控制器,一般微控制器,以及電源管理芯片等。由于其優(yōu)異的成本效益與覆寫次數(shù)上的彈性,MTP技術(shù)的重要性與日俱增。為了因應(yīng)復(fù)雜的系統(tǒng)單芯片集成需求,聯(lián)電在相同的技術(shù)平臺(tái)上,也提供了全方位eFlash與eE2PROM解決方案,以建構(gòu)更彈性的元件設(shè)計(jì)環(huán)境。





