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[導讀]晶圓代工大廠臺積電(TSMC)透露,該公司將在兩周內(nèi)首度啟用深紫外光(EUV)微影設備;此舉意味著臺積電已經(jīng)開始為下一代的晶片生產(chǎn),進一步評估三種微影競爭技術(shù),好為生產(chǎn)下一代晶片做準備。 「我們是唯一公開透露已經(jīng)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)透露,該公司將在兩周內(nèi)首度啟用深紫外光(EUV)微影設備;此舉意味著臺積電已經(jīng)開始為下一代的晶片生產(chǎn),進一步評估三種微影競爭技術(shù),好為生產(chǎn)下一代晶片做準備。
「我們是唯一公開透露已經(jīng)在嘗試全部三種微影技術(shù)的廠商,我們勇于冒險;」臺積電研發(fā)副總林本堅(Burn Lin)在 2011年度 Semicon Taiwan 展前記者會上表示,臺積電已經(jīng)在利用Mapper Lithography的電子束直寫系統(tǒng)(direct-write electron beam system)進行α原型的測試,而且:「結(jié)果不錯?!顾赋?,臺積電會在明年裝設一臺KLA Tencor的電子束設備。

但臺積電最終還是只會選擇一種微影技術(shù),應該是用于14奈米節(jié)點;「我們希望能在兩年內(nèi)決定哪一種技術(shù)是最好的?!沽直緢员硎?,臺積電已經(jīng)采購并裝設ASML的3100版本EUV系統(tǒng),并將會在兩周內(nèi)首度開機。

工程師們已經(jīng)在EUV微影技術(shù)領域努力多年,但到目前為止,該種設備還是未能達到商業(yè)化水準,而且其成本據(jù)說超越1.2億美元。林本堅表示,他對電子束微影系統(tǒng)抱持高度期望,因為這種設備不需要光罩,能降低制程復雜度與成本。

另一家晶圓代工大廠GlobalFoundries的高層不久前也透露,該公司已經(jīng)采購了ASML 3300系統(tǒng),并將在明年底裝機;GlobalFoundries預計在20奈米制程節(jié)點進行該系統(tǒng)的測試,不過打算實際應用在14奈米節(jié)點的商業(yè)晶片上。

編譯:Judith Cheng

(參考原文: TSMC ready to flip the switch on EUV,by Rick Merritt)



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