花旗環(huán)球證券出具臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)報(bào)告，宏觀風(fēng)險(xiǎn)的不確定性和技術(shù)障礙問題，各大廠資本支出和產(chǎn)能減緩，預(yù)估2012年產(chǎn)能成長(zhǎng)率將由原先預(yù)估的15%下修至僅有11%，新增的產(chǎn)能將會(huì)集中在28奈米制程，快速切入28奈米的廠商將勝者全拿，看好臺(tái)積電(2330-TW)受惠，列入半導(dǎo)體買進(jìn)首選名單。

花旗環(huán)球證券指出，在宏觀風(fēng)險(xiǎn)升溫和技術(shù)門檻問題，半導(dǎo)體各大廠資資本支出和產(chǎn)能擴(kuò)充皆減緩，與2010年產(chǎn)能年成長(zhǎng)11%，2011年產(chǎn)能年成長(zhǎng)14%相比，花期預(yù)估前4大半導(dǎo)體廠2012年產(chǎn)能年長(zhǎng)將由原先預(yù)期15%下滑至11%，而大部份新增產(chǎn)能將是28奈米制程。其中，各廠產(chǎn)能年成長(zhǎng)預(yù)估臺(tái)積電、聯(lián)電(2303-TW)、GFI，以及中芯分別為11%、6%、20%、5%，2012年總資本支出為123億美元，低于2011年的156億美元。


花旗環(huán)球證券也指出，除了資本支出減少外，2012年產(chǎn)能擴(kuò)充也放緩，預(yù)估前3大廠產(chǎn)能利率用將70-80%，貢獻(xiàn)營(yíng)收比和2011年6%相比也將只有7%。但臺(tái)積電可望因切入28奈米制程領(lǐng)先同業(yè)營(yíng)收約7.2%，聯(lián)電次之，約領(lǐng)先6.9%，然而臺(tái)積電可能因產(chǎn)能利用率降低導(dǎo)致毛利率下滑65個(gè)百分點(diǎn)，而聯(lián)電可望因產(chǎn)能利率相近和匯率持穩(wěn)，毛利率將提升68個(gè)百分點(diǎn)。

但花旗環(huán)球證券認(rèn)為，由于28奈米制程快速提升，未來(lái)將是28奈米制程勝者全拿的景況。雖然28奈米高介電金屬閘極(HKMG)制程良率還未達(dá)到平均生產(chǎn)水準(zhǔn)，但臺(tái)積電已可以即時(shí)解決低良率的問題，同時(shí)臺(tái)積電也在進(jìn)行20奈米4核心處理器運(yùn)用，如果臺(tái)積電能加速20奈米的生產(chǎn)，預(yù)期2012年下半年就可拉大與同業(yè)差距。看好臺(tái)積電可望在28奈米稱霸，2012年獲利可期，列為半導(dǎo)體首選名單，重申買進(jìn)評(píng)等和目標(biāo)價(jià)84元。

花旗環(huán)球證券也看好聯(lián)電，聯(lián)電股價(jià)估值和股息派發(fā)具有吸引力，重申買進(jìn)評(píng)等，但因宏觀風(fēng)險(xiǎn)因素將目標(biāo)價(jià)從17元微調(diào)至16元。