全球消費性電子產(chǎn)品趨勢不斷朝向輕、薄、短、小及高效能發(fā)展，因此隨著其快速演進的過程，廠商必須不斷地開發(fā)先進且高效能的晶片制程與技術(shù)。此外，良率更關(guān)系著成本與獲利的關(guān)鍵。因此透過更精密的儀器及高科技的設(shè)備，提高生產(chǎn)制程上的良率，才有機會在不景氣中脫穎而出，打敗競爭對手，讓危機變?yōu)檗D(zhuǎn)機，這也是各半導(dǎo)體大廠持續(xù)努力的目標(biāo)。

積體電路制程在愈做愈小的趨勢下，層與層之間疊對是否精準(zhǔn)，線寬尺寸誤差是否在可容許的范圍內(nèi)，都會深刻影響積體電路的良率和性能表現(xiàn)，所以必須有先進的量測技術(shù)加以檢視、驗證，并提供數(shù)據(jù)作為技術(shù)改善的依據(jù)。良率的提升對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說是相當(dāng)重要的，舉例來說，若某公司每年約產(chǎn)出10億顆記憶體晶粒，假使良率提升1%，則表示該公司在一樣的生產(chǎn)條件下，不增加資本投入，每年便可多出1,000萬顆記憶體晶粒，以每顆記憶體晶粒2美元計算，整年度之盈余便可多出2,000萬美元。

ISIS專精于非接觸式精密量測機臺的研發(fā)與生產(chǎn)，在高精密度量測方面有非常獨到的專利與技術(shù)，因此沖成特別代理引進ISIS量測機臺。ISIS之非接觸厚度量測系統(tǒng)，是以紅外線折射的方式，非破壞性地量測被測物。透過多次穿透的折射方式可同時量測多層被測物(Multi layer)，并可以2D & 3D圖畫方式呈現(xiàn)數(shù)據(jù)，讓使用者方便判讀。除此之外，其精準(zhǔn)度(Accuracy)亦達到0.2μm，重復(fù)性(Repeatability)更可達0.1μm(3 sigma)。ISIS儀器所能量測的材質(zhì)包括Silicon、SiC、InGaAs、InP、TFT Glass/ Ceramics、SOI、Polyimide、Photoresist(spin coating)等。

除此之外，沖成代理之E+H也是提升良率的重要檢驗儀器，從2寸到18寸的晶圓都有其對應(yīng)機型。來自德國的E+H同樣在精密量測上有傲人成績與歷史。E+H電容式量測儀器在晶圓(Wafer)的量測上深受半導(dǎo)體制程上的肯定，包括厚度(Thickness)、翹曲度(Warp)、應(yīng)力(Stress)、TTV等，都能準(zhǔn)確、快速地測量出數(shù)據(jù)，匯出的2D與3D圖，讓RD人員在研發(fā)上有所依據(jù)，產(chǎn)線人員亦可迅速檢驗并提升良率。以MX203機型為例，最快5秒即可量測1片wafer。

沖成公司多年來一直致力于提供最好的服務(wù)，秉持著「客戶的成功就是沖成的希望」之宗旨，除代理先進的設(shè)備，并以專業(yè)的形象及優(yōu)質(zhì)敬業(yè)的售后服務(wù)與客戶一同成長。為了讓業(yè)界更認識了解，沖成積極參與每一年度的半導(dǎo)體展。在SEMICON Taiwan 2011的「創(chuàng)新技術(shù)發(fā)表會」中，沖成將介紹ISIS之最新技術(shù)，主題為「Achieve All-In-One Measurement with Same Machine」，發(fā)表會時間為2011年9月7日12:30~13:00于3052攤位。沖成公司SEMICON Taiwan 2011攤位位于世貿(mào)一館708。