晶圓代工大廠聯(lián)電（2303）昨（30）日宣布推出嵌入式可電刪可編程唯讀存儲器（eEEPROM）新制程，技術(shù)研發(fā)上也有突破性進展，聯(lián)電將推出I/O電壓范圍為1.8V至5V，寫入抹除耐久性為100萬次的解決方案，嵌入式eEEPROM可應(yīng)用于包含銀行金融卡、智能卡、身分識別卡以及微控制器等產(chǎn)品，大幅提升元件電池壽命與可靠度。

聯(lián)電此次推出的eEEPROM新制程，I/O電壓范圍為1.8V至5V，在延長手持式應(yīng)用產(chǎn)品電池壽命上，擁有優(yōu)異的表現(xiàn)。聯(lián)電表示，標準的2.5V/3.3V或1.8V/3.3V輸入電壓，需要雙元件與電壓調(diào)整器，才能達到這些固定電壓以外的范圍，而聯(lián)電的eEEPROM解決方案，則僅需單一元件，且不需要額外的電路，即可提供1.8V至5V可變電壓范圍，此高彈性高效率的系統(tǒng)單芯片制程，可同時兼具更小尺寸與更長電池壽命等2項優(yōu)勢。

而在耐久性，除標準的10萬次之外，聯(lián)電現(xiàn)提供100萬次寫入抹除循環(huán)，作為eEEPROM解決方案的另一選擇。藉由此一高效能技術(shù)，聯(lián)電客戶將可推出能大幅延長產(chǎn)品壽命高可靠度嵌入式存儲器元件。

聯(lián)電的eEEPROM技術(shù)目前已于0.35微米與0.25微米制程量產(chǎn)，并于0.18微米制程試產(chǎn)，0.11微米制程正在研發(fā)中，預(yù)計于明年初推出。