GlobalFoundries、三星電子今天聯(lián)合宣布，計劃在雙方的全球晶圓廠內(nèi)同步制造基于28nm HKMG高性能低漏電率工藝的芯片。據(jù)稱，這種新工藝是專為移動設(shè)備應(yīng)用處理器而設(shè)計的，包括高性能智能手機、平板機、筆記本、上網(wǎng)本等等設(shè)備，可憑借超低漏電晶體管提供更長的電池續(xù)航時間。相比45nm LP SoC低功耗工藝，新工藝在同等頻率下可節(jié)省60％的運行功耗，在同等漏電率下可帶來55％的性能提升。

2010年的時候，GlobalFoundries、三星就與IBM、意法半導(dǎo)體合作，開啟了低功耗28nm HKMG工藝的晶圓廠同步。兩種不同版本的28nm HKMG工藝都使用了Gate First技術(shù)。

實現(xiàn)晶圓廠同步投產(chǎn)后，客戶的芯片可以在不同代工廠的不同晶圓廠內(nèi)同步投產(chǎn)，而無需重新設(shè)計，從而高效利用代工資源、節(jié)省客戶投資。

參與此番28nm HKMG同步投產(chǎn)的晶圓廠共有四座，GlobalFoundries一方有德國德累斯頓的Fab 1、美國紐約州的Fab 8，三星電子一方則有韓國器興(Giheung)的S1、美國德克薩斯州新擴建的S2。




文/驅(qū)動之家