值此晶圓廠先進(jìn)制程邁入20奈米以下的世代交替之際，讓更高晶圓缺陷檢測(cè)精準(zhǔn)度與速度的電子束(e-beam)晶圓缺陷檢視設(shè)備重要性劇增。也因此，科磊(KLA-Tencor)瞄準(zhǔn)20奈米(nm)及以下制程節(jié)點(diǎn)發(fā)表eDR-7000，將為挹注2012年可觀營(yíng)收貢獻(xiàn)的利器。

科磊行銷長(zhǎng)Brian Trafas(左)表示，相對(duì)于記憶體市場(chǎng)景氣持續(xù)低迷，受惠于晶圓廠先進(jìn)制程世代交替，將為晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)帶來(lái)更大的市場(chǎng)機(jī)會(huì)點(diǎn)。右為臺(tái)灣分公司總經(jīng)理張水榮
科磊行銷長(zhǎng)Brian Trafas表示，全球景氣受到日本311強(qiáng)震、歐美債務(wù)危機(jī)及北美居高不下的失業(yè)率波及，消費(fèi)性與個(gè)人電腦(PC)市場(chǎng)需求萎靡，沖擊晶圓廠營(yíng)收下滑，導(dǎo)致今年下半年至2012年景氣仍未見(jiàn)明朗。晶圓廠為降低制造成本，朝20奈米以下制程推進(jìn)已勢(shì)在必行，將帶來(lái)缺陷成像與分類的巨大挑戰(zhàn)，亦將是科磊創(chuàng)造更高營(yíng)收貢獻(xiàn)的一大機(jī)會(huì)點(diǎn)。

有鑒于此，科磊已推出靈敏度高達(dá)±100奈米，可檢視小至10奈米或位于溝槽或孔洞底部的缺陷，精準(zhǔn)度較上一代eDR-5210高出30%，且每小時(shí)檢測(cè)晶圓缺陷數(shù)量上看五千顆的電子束晶圓檢測(cè)系統(tǒng)eDR-7000，比eDR-5210高二至三倍，以突破晶圓廠客戶導(dǎo)入20奈米及以下制程面臨的技術(shù)桎梏。

科磊電子束部門資深產(chǎn)品市場(chǎng)行銷經(jīng)理Christina Wang補(bǔ)充，該公司eDR-5210可偵測(cè)和拍攝面積達(dá)1.5微米(μ)，已優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，而eDR-7000更可縮小至1微米，競(jìng)爭(zhēng)力更勝一籌。此外，eDR-7000解析度可達(dá)2.0奈米，與eDR-5210的1.8奈米相比，無(wú)論精確度與解析度都更為優(yōu)異。

科磊臺(tái)灣分公司總經(jīng)理張水榮透露，事實(shí)上，eDR-7000在歷經(jīng)臺(tái)灣晶圓廠達(dá)6個(gè)月的驗(yàn)證通過(guò)后，日前科磊已向該廠商交貨，但直到近日才正式對(duì)外宣布推出。

張水榮談到，臺(tái)灣在科磊營(yíng)收貢獻(xiàn)占有舉足輕重的地位，其中太陽(yáng)能、發(fā)光二極體(LED)將為帶動(dòng)營(yíng)收貢獻(xiàn)成長(zhǎng)的兩大動(dòng)能，2011年?duì)I收貢獻(xiàn)比重已達(dá)7%。然現(xiàn)階段，半導(dǎo)體制程控制與良率管理領(lǐng)域仍為科磊最大營(yíng)收貢獻(xiàn)來(lái)源，尤其是20奈米及以下的晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)將是主力，其涵蓋電子束晶圓缺陷檢視設(shè)備、Surfscan SP3和即將推出的晶圓檢測(cè)產(chǎn)品系列的其他產(chǎn)品。