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[導讀]為實現(xiàn)零缺陷的極紫外光(EUV)光罩,光罩缺陷檢測系統(tǒng)不可或缺。有鑒于EUV前景可期,科磊(KLA-Tencor)正試圖透過與SEMATECH策略結(jié)盟發(fā)展光罩缺陷檢測系統(tǒng),以加速EUV技術(shù)成熟,并藉此卡位EUV市場先機。 科磊行銷長

為實現(xiàn)零缺陷的極紫外光(EUV)光罩,光罩缺陷檢測系統(tǒng)不可或缺。有鑒于EUV前景可期,科磊(KLA-Tencor)正試圖透過與SEMATECH策略結(jié)盟發(fā)展光罩缺陷檢測系統(tǒng),以加速EUV技術(shù)成熟,并藉此卡位EUV市場先機。

科磊行銷長Brian Trafas表示,光罩缺陷檢測系統(tǒng)對于EUV技術(shù)成熟的發(fā)展至關(guān)重要。
科磊行銷長Brian Trafas表示,目前EUV技術(shù)成熟的時間點仍持續(xù)延宕,其中零缺陷的EUV光罩即為一大技術(shù)桎梏,因而為科磊提供進軍EUV市場的絕佳機會,透過與半導體業(yè)者SEMATECH攜手開發(fā)光罩缺陷檢測系統(tǒng),將有助加快EUV技術(shù)成熟的腳步。

目前,科磊已加入SEMATECH在奈米科學與工程學院(CNSE)奧爾巴尼分校的微影減少缺陷方案,該公司將于降低缺陷中心投入EUV工具和材料技術(shù)研發(fā)。

EUV藉由較目前的微影技術(shù)系統(tǒng)使用波長短十五倍的方式,使半導體擴展至10奈米甚至更小的解析度。著眼于眾多半導體供應(yīng)商預計將于2012~2013年推出22奈米制程,屆時為使先進微影技術(shù)達成大量生產(chǎn)目標,更低的缺陷密度將為關(guān)鍵,此次科磊與SEMATECH的策略合作重點將放在減少光罩缺陷、度量基礎(chǔ)建設(shè)、度量源發(fā)展、量產(chǎn)及可擴展性。

科磊總裁暨執(zhí)行長Rick Wallace指出,科磊樂見與合作夥伴SEMATECH開發(fā)新的測量能力,以解決根本的缺陷檢測和還原過程,此對于EUV基礎(chǔ)建設(shè)至關(guān)重要。

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