李洵穎 銅柱凸塊(Copper Pillar Bump；CPB)技術(shù)，是在覆晶封裝晶片的表面制作焊接凸塊，使其具備導(dǎo)電、導(dǎo)熱和抗電子遷移能力的功能。這種技術(shù)利用銅柱為傳導(dǎo)主軸，而不是像以前用錫球?yàn)?strong>傳導(dǎo)的主軸，以增加訊號(hào)傳遞能力和可靠度。整體而言，銅柱凸塊具有良好的散熱、導(dǎo)電特性，亦具有具低電阻／電感特性、低熱阻、較佳的抗電遷移能力，并且提供更細(xì)微的線距，以及符合RoHS規(guī)范。

銅柱凸塊可應(yīng)用于邏輯IC、記憶體及行動(dòng)裝置、LED次封裝、車用電子元件及生物醫(yī)療裝置等。相較于錫鉛凸塊可提供更小間隙(fine pitch)、更高的密度及更佳的導(dǎo)熱性。以英特爾(Intel)為首的晶片制造業(yè)，已開始在特定產(chǎn)品采用銅柱凸塊覆晶技術(shù)，初期主要用在PC相關(guān)晶片，然近期通訊晶片如智慧型手機(jī)產(chǎn)品采用銅柱凸塊情況益趨增加。

研究機(jī)構(gòu)Yole Developpement估計(jì)自2010~2016年銅柱凸塊市場復(fù)合成長率為19.68%，2012年銅柱凸塊技術(shù)將取代錫鉛凸塊躍升技術(shù)主流，預(yù)期到2016年將有一半覆晶植球晶圓采用銅柱凸塊技術(shù)。(李洵穎)