[導讀]【大紀元7月27日報導】(中央社記者張建中新竹27日電)晶圓代工廠聯(lián)電今天宣布,與賽普拉斯半導體(Cypress)合作,成功以65奈米矽氧氮化矽氧矽(SONOS)快閃記憶體技術產(chǎn)出有效矽晶片,預計第3季正式上市。
聯(lián)電表示,65
【大紀元7月27日報導】(中央社記者張建中新竹27日電)晶圓代工廠聯(lián)電今天宣布,與賽普拉斯半導體(Cypress)合作,成功以65奈米矽氧氮化矽氧矽(SONOS)快閃記憶體技術產(chǎn)出有效矽晶片,預計第3季正式上市。
聯(lián)電表示,65奈米SONOS快閃記憶體制程技術具有高耐力、低功耗及抵抗記憶體因宇宙射線而發(fā)生軟錯誤的錯誤率等優(yōu)點。
Cypress將采用聯(lián)電65奈米SONOS快閃記憶體制程生產(chǎn)其次世代可編程系統(tǒng)單晶片(PSoC)等產(chǎn)品;聯(lián)電也將在Cypress授權(quán)協(xié)議下,將這技術提供給其他公司使用。
聯(lián)電指出,65奈米SONOS快閃記憶體制程技術預計第3季正式上市。
聯(lián)電表示,65奈米SONOS快閃記憶體制程技術具有高耐力、低功耗及抵抗記憶體因宇宙射線而發(fā)生軟錯誤的錯誤率等優(yōu)點。
Cypress將采用聯(lián)電65奈米SONOS快閃記憶體制程生產(chǎn)其次世代可編程系統(tǒng)單晶片(PSoC)等產(chǎn)品;聯(lián)電也將在Cypress授權(quán)協(xié)議下,將這技術提供給其他公司使用。
聯(lián)電指出,65奈米SONOS快閃記憶體制程技術預計第3季正式上市。





