美國(guó)應(yīng)用材料公司（AMAT）目前已開(kāi)始投產(chǎn)用于22nm邏輯IC的柵極絕緣膜ALD（atomic layer deposition）裝置“Centura Integrated Gate Stack”。該裝置的特點(diǎn)是可在同一真空環(huán)境下形成所有高介電率柵極絕緣膜（high-k）的積層構(gòu)造。由此可以保持各層界面不被污染的狀態(tài)，提高晶體管的性能。

以鉿（Hf）為基礎(chǔ)的high-k積層膜采用ALD技術(shù)按照每個(gè)原子層（2nm）形成。此次的裝置可將通常需要4道工序的積層構(gòu)造全部在同一真空環(huán)境下形成。由此，可避免積層構(gòu)造界面與空氣接觸而被污染。AMAT表示，現(xiàn)已確認(rèn)通過(guò)使界面不與空氣接觸，晶體管的電子遷移率最大提高了10％，晶體管間開(kāi)關(guān)電壓的變化最大減少了40％（參閱本站報(bào)道）。（記者：長(zhǎng)廣 恭明）