蘇恒安／綜合外電 外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會(huì)從2011年第3季啟動(dòng)18吋晶圓開(kāi)發(fā)計(jì)畫(huà)，但這項(xiàng)計(jì)畫(huà)很有可能延期。老早表明要全速進(jìn)軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(Samsung Electronics)，在整體業(yè)績(jī)表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。

半導(dǎo)體晶圓直徑從2吋一路演進(jìn)到現(xiàn)行最大的12吋，未來(lái)18吋晶圓投產(chǎn)后，1片18吋晶圓產(chǎn)出的晶片數(shù)，將是12吋晶圓的2倍；換言之，晶圓尺寸越大，越有助于降低積體電路的制造成本。

因此臺(tái)積電、英特爾(Intel)及三星等3家半導(dǎo)體巨頭，從2003年起就開(kāi)始發(fā)展大尺寸晶圓，企圖擠下資金不夠雄厚的業(yè)者。2008年3家公司發(fā)表共同聲明，說(shuō)2012年將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入18吋晶圓制造的適當(dāng)時(shí)機(jī)。

東芝向來(lái)以微細(xì)化制造技術(shù)見(jiàn)長(zhǎng)，對(duì)大尺寸晶圓始終采取保留態(tài)度，但NAND Flash領(lǐng)域的頭號(hào)勁敵三星，在發(fā)表進(jìn)軍18吋晶圓技術(shù)之后，東芝迫于情勢(shì)只好跟進(jìn)。業(yè)界猜測(cè)東芝2011年第3季將開(kāi)始會(huì)有具體動(dòng)作。

然面對(duì)2011年連續(xù)2季虧損，三星改以減少產(chǎn)能及資本支出因應(yīng)。東芝見(jiàn)三星縮手，開(kāi)始思考18吋晶圓產(chǎn)線(xiàn)的必要性，傾向省下投產(chǎn)經(jīng)費(fèi)，專(zhuān)注于細(xì)微化制程的研發(fā)。

事實(shí)上，以18吋晶圓投產(chǎn)能夠降低的? 言說(shuō)A遠(yuǎn)超過(guò)新世代制程。曝光設(shè)備現(xiàn)正面臨20奈米世代的瓶頸，極紫外光(Extreme Ultraviolet；EUV)技術(shù)成為眾所期待的新星。EUV是下一代半導(dǎo)體光刻技術(shù)，目前已經(jīng)有多家企業(yè)引進(jìn)EUV微縮制程機(jī)臺(tái)，但購(gòu)置機(jī)臺(tái)費(fèi)用相當(dāng)高昂，而且效率不佳。業(yè)界人士表示，如果細(xì)微化制程走到死胡同，大尺寸晶圓就是廠(chǎng)商唯一的選擇，這樣看來(lái)18吋晶圓的量產(chǎn)時(shí)期訂為2015年絕對(duì)不算太早。

然而發(fā)展18吋晶圓，就代表設(shè)備商必須大手筆投資研發(fā)，花費(fèi)最多將達(dá)到1,000= 美元，負(fù)擔(dān)十分沉重。

2011年1月，臺(tái)機(jī)電宣布啟動(dòng)18吋晶圓廠(chǎng)投資計(jì)畫(huà)，預(yù)計(jì)2013年導(dǎo)入試產(chǎn)線(xiàn)，2015年以20奈米開(kāi)始量產(chǎn)。英特爾正在興建18吋廠(chǎng)，地點(diǎn)屬意該公司先進(jìn)制程的發(fā)源地美國(guó)奧勒岡州，預(yù)定2013年完成，看來(lái)要達(dá)成2012年開(kāi)始量產(chǎn)的目標(biāo)，已經(jīng)是不可能的任務(wù)，如果三星和東芝再抽腿，半導(dǎo)體業(yè)界邁進(jìn)18吋晶圓的速度將更為緩慢。