借助這項(xiàng)新技術(shù)，GaN MISHEMTs（ metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors，無金屬高電子遷移率晶體管）能夠嚴(yán)格按照CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）的污染控制要求在工藝線上進(jìn)行生產(chǎn)（不再需要加入金這種貴金屬），進(jìn)而能夠在200mm硅襯底上大批量生產(chǎn)高質(zhì)量的氮化鎵產(chǎn)品。

IMEC介紹了該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)大尺寸生產(chǎn)和兼容性好的優(yōu)勢。氮化鎵是一種極具潛力能替代硅元件的新一代功率器件。IMEC使用Applied Materials公司的MOCVD最近成功地在200毫米硅芯片上生產(chǎn)出表面無裂紋并且彎曲度小于50微米的氮化鎵硅芯片是一個重要的里程碑，因?yàn)樯a(chǎn)大尺寸芯片對降低成本效果顯著。

同時，IMEC的新技術(shù)展示了使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝生產(chǎn)GaN MISHEMTs，并驗(yàn)證了所有的設(shè)備僅僅只要求在軟件和硬件做微小的調(diào)整即可。

通常，金這種貴金屬被用于氮化鎵產(chǎn)品的電路連接和門電路結(jié)構(gòu)，但它使氮化鎵的加工與CMOS工藝不兼容。而IMEC基于無金的電路連接系統(tǒng)，和無金的金屬絕緣半導(dǎo)體（MIS）門結(jié)構(gòu)解決了兼容問題。這種MISHEMT設(shè)計(jì)還能有效降低傳統(tǒng)HEMTs（高電子遷移率晶體管）的高漏電問題。