《半導(dǎo)體》晶圓代工有賺,力晶Q2營運(yùn)拚損平
[導(dǎo)讀]力晶(5346)轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠,第二季效益略顯現(xiàn),雖然第二季DRAM價(jià)格仍處于低檔,該公司晶圓代工業(yè)務(wù)都是獲利狀態(tài),支撐第二季營運(yùn)比第一季改善,有機(jī)會(huì)達(dá)損平附近。
力晶今年宣布轉(zhuǎn)型,以移動(dòng)通訊應(yīng)用為業(yè)務(wù)重心。
力晶(5346)轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠,第二季效益略顯現(xiàn),雖然第二季DRAM價(jià)格仍處于低檔,該公司晶圓代工業(yè)務(wù)都是獲利狀態(tài),支撐第二季營運(yùn)比第一季改善,有機(jī)會(huì)達(dá)損平附近。
力晶今年宣布轉(zhuǎn)型,以移動(dòng)通訊應(yīng)用為業(yè)務(wù)重心。目前力晶的自有產(chǎn)品與晶圓代工并存,確保建立穩(wěn)定的營運(yùn)模式,并致力降低負(fù)債,強(qiáng)化財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。
今年第二季DRAM價(jià)格僅僅止跌,惟力晶在晶圓代工業(yè)務(wù)獲利下,預(yù)計(jì)第二季比第一季的虧損明顯好轉(zhuǎn),有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)損平點(diǎn)。
在制程技術(shù)方面,力晶于去年第四季導(dǎo)入浸潤式曝光機(jī),以40納米技術(shù)開始生產(chǎn)2Gb DDR3 DRAM,今年將持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程,預(yù)計(jì)今年下半年將全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn),并計(jì)畫于今年第四季導(dǎo)入30納米,將使得成本進(jìn)一步降低。
力晶于10日召開股東會(huì),去年?duì)I收808億元,年增率159%,稅后凈利39.1億元,較上一年稅后虧損207億元相比,明顯轉(zhuǎn)好,EPS 0.71元。股東會(huì)承認(rèn)99年財(cái)報(bào)與虧損撥補(bǔ)案;并討論通過2項(xiàng)募資案,其中現(xiàn)金增資部分將發(fā)行不超過8億股,私募額度則不超過4億股,將用來充實(shí)營運(yùn)資金、償還銀行負(fù)債、購買機(jī)器設(shè)備等所需。
力晶今年宣布轉(zhuǎn)型,以移動(dòng)通訊應(yīng)用為業(yè)務(wù)重心。目前力晶的自有產(chǎn)品與晶圓代工并存,確保建立穩(wěn)定的營運(yùn)模式,并致力降低負(fù)債,強(qiáng)化財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。
今年第二季DRAM價(jià)格僅僅止跌,惟力晶在晶圓代工業(yè)務(wù)獲利下,預(yù)計(jì)第二季比第一季的虧損明顯好轉(zhuǎn),有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)損平點(diǎn)。
在制程技術(shù)方面,力晶于去年第四季導(dǎo)入浸潤式曝光機(jī),以40納米技術(shù)開始生產(chǎn)2Gb DDR3 DRAM,今年將持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程,預(yù)計(jì)今年下半年將全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn),并計(jì)畫于今年第四季導(dǎo)入30納米,將使得成本進(jìn)一步降低。
力晶于10日召開股東會(huì),去年?duì)I收808億元,年增率159%,稅后凈利39.1億元,較上一年稅后虧損207億元相比,明顯轉(zhuǎn)好,EPS 0.71元。股東會(huì)承認(rèn)99年財(cái)報(bào)與虧損撥補(bǔ)案;并討論通過2項(xiàng)募資案,其中現(xiàn)金增資部分將發(fā)行不超過8億股,私募額度則不超過4億股,將用來充實(shí)營運(yùn)資金、償還銀行負(fù)債、購買機(jī)器設(shè)備等所需。





