臺(tái)積電(2330)及日本IDM廠客戶瑞薩電子（Renesas）決定加入由日本半導(dǎo)體業(yè)聯(lián)合出資成立的EUVL基盤開發(fā)中心（EIDEC），與英特爾、三星、信越化學(xué)、旭硝子等國際級(jí)半導(dǎo)體廠合作，共同投入次世代極紫外光（EUV）微影技術(shù)研發(fā)。由于日本IDM廠已經(jīng)陸續(xù)宣布，28納米以下先進(jìn)制程將與晶圓代工廠合作，臺(tái)積電此舉將可爭取到更多日本IDM廠委外訂單。

臺(tái)積電目前量產(chǎn)中的40納米及28納米，均采用雙重曝影（double patterning）的浸潤式（immersion）微影技術(shù)，現(xiàn)在研發(fā)中的20納米也將持續(xù)采用雙重曝影浸潤式微影技術(shù)生產(chǎn)，但英特爾日前在美國舉行的設(shè)計(jì)自動(dòng)化會(huì)議（DAC）中，透露將于2013年下半年，開始以EUV微影技術(shù)試產(chǎn)14納米制程，所以臺(tái)積電未來微影技術(shù)也可望朝向EUV方向發(fā)展。

根據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo)，由日本11家半導(dǎo)體業(yè)者合資成立的EIDEC研發(fā)中心，將投入EUV技術(shù)的研發(fā)，預(yù)計(jì)2015年底前完成微影制程的開發(fā)，并可望導(dǎo)入量產(chǎn)。

據(jù)了解，包括臺(tái)積電在內(nèi)的各家EIDEC成員，將自6月中旬開始派員至日本茨城縣研發(fā)中心，展開第一階段的研發(fā)作業(yè)，共同針對(duì)光罩、曝光材料、微影裝置、設(shè)計(jì)流程等進(jìn)行合作開發(fā)，以加速EUV導(dǎo)入量產(chǎn)的速度。

臺(tái)積電今年已經(jīng)向微影設(shè)備大廠荷商艾司摩爾（ASML）采購EUV設(shè)備，安裝在竹科12寸廠Fab12這座超大晶圓廠（GigaFab）當(dāng)中，用以發(fā)展新世代的制程技術(shù)，臺(tái)積電希望能成為全球第一個(gè)可在自有晶圓廠發(fā)展EUV微影技術(shù)的晶圓代工廠。

業(yè)界預(yù)期，臺(tái)積電加入EIDEC研發(fā)中心后，可望與瑞薩、富士通、索尼、東芝等日本IDM廠有更深入的技術(shù)合作，未來不僅可望取得日本IDM廠的28納米及20納米代工訂單，在接下來的14納米及10納米世代，若能順利導(dǎo)入EUV微影技術(shù)，臺(tái)積電也將成為日本IDM廠的重要晶圓代工合作伙伴。