傳臺(tái)積電將加入國(guó)際制程研發(fā)聯(lián)盟

《日本經(jīng)濟(jì)新聞》周五報(bào)導(dǎo)，日本Renesas Electronics(6723-JP)(瑞薩電子) 和臺(tái)積電(2330-TW)，將加入一個(gè)由日本主導(dǎo)、從事新世代晶片制程技術(shù)開發(fā)的國(guó)際聯(lián)盟。


該聯(lián)盟預(yù)計(jì)這個(gè)月開始研發(fā)EUV (超紫外光) 微影技術(shù)，目標(biāo)在2015 年底前結(jié)束。 企業(yè)成員將運(yùn)用這項(xiàng)技術(shù)增進(jìn)自家產(chǎn)品的表現(xiàn)，如快閃記憶體和系統(tǒng)晶片等。

英特爾與三星電子都已加入，如今再加上臺(tái)積電，意味半導(dǎo)體三王將攜手合作。

此外，全球市占具一定份量的日本半導(dǎo)體材料業(yè)者，包括Asahi Glass Co.(5201-JP)、Shin-Etsu Chemical Co.(4063-JP)、Hoya Corp.(7741-JP)、Fujifilm Holdings Corp. (4901-US) 與Nissan Chemical Industries Ltd. 等，也將加入該聯(lián)盟。

聯(lián)盟成員將派遣約40 名工程師，在日本茨城縣的一座研發(fā)中心進(jìn)行合作。

荷蘭ASML Holding NV 計(jì)畫在2012 年推出EUV 微影設(shè)備，日本在設(shè)備和材料的開發(fā)上已居于落后。 該聯(lián)盟的目標(biāo)，是發(fā)展出電路寬度20 奈米以下的晶片制程技術(shù)。

東芝(6502-JP) 未來(lái)3-5 年需以EUV 微影技術(shù)來(lái)生產(chǎn)快閃記憶晶片，但顧慮自行研發(fā)成本太高，遂號(hào)召材料廠及外國(guó)晶片業(yè)者組成聯(lián)盟，并找來(lái)日本經(jīng)產(chǎn)省支援。

瑞薩為了降低成本，已打算將線寬28 奈米或以下的所有晶片生產(chǎn)外包，加入聯(lián)盟的主因則是要了解技術(shù)。