力成/爾必達(dá)/聯(lián)電攜手卡位3D晶片技術(shù)
[導(dǎo)讀]力成(6239)、爾必達(dá)(916665)與聯(lián)電(2303)宣布三方將攜手合作,針對(duì)28奈米及以下制程,提升3D IC的整合技術(shù)。力成對(duì)于3D IC布局動(dòng)作快速,已規(guī)劃成立新竹廠,并將于第三季進(jìn)入試產(chǎn)階段,希望可以成為市場(chǎng)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠
力成(6239)、爾必達(dá)(916665)與聯(lián)電(2303)宣布三方將攜手合作,針對(duì)28奈米及以下制程,提升3D IC的整合技術(shù)。力成對(duì)于3D IC布局動(dòng)作快速,已規(guī)劃成立新竹廠,并將于第三季進(jìn)入試產(chǎn)階段,希望可以成為市場(chǎng)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商。
IC封測(cè)大廠日月光(2311)、矽品(2325)對(duì)于3D IC封裝技術(shù)的投入都相當(dāng)積極,并均有數(shù)年之久,但礙于3D IC技術(shù)尚未成熟,加上制作難度、成本均高,因此距離大量生產(chǎn)的階段仍有一段路途。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所追求的摩爾定律即將走向極限,3D IC逐漸受到重視,力成、爾必達(dá)以及聯(lián)電的攜手,結(jié)合了封裝、晶圓代工、記憶體制造等技術(shù),將可望成為市場(chǎng)領(lǐng)頭羊。
力成表示,透過這項(xiàng)合作將能促進(jìn)完整解決方案的開發(fā),其中包括邏輯+DRAM介面設(shè)計(jì)、TSV結(jié)構(gòu)、晶圓薄化、測(cè)試與晶片堆疊組裝。這項(xiàng)技術(shù)預(yù)期能增加成本上的競爭力,改善邏輯良率效應(yīng),并且加速進(jìn)入3D IC市場(chǎng)的時(shí)間。
力成也強(qiáng)調(diào),為了布局3D IC,籌設(shè)的新竹廠已經(jīng)建設(shè)完成,且機(jī)器設(shè)備也陸續(xù)到位,預(yù)計(jì)第三季就會(huì)開始進(jìn)入試產(chǎn),預(yù)計(jì)將投入WLP、C2 Bumping、TSV-MEOL,BEOL、Si-interposer等封裝技術(shù),這也將是力成于2012年之后的主要競爭利基。
IC封測(cè)大廠日月光(2311)、矽品(2325)對(duì)于3D IC封裝技術(shù)的投入都相當(dāng)積極,并均有數(shù)年之久,但礙于3D IC技術(shù)尚未成熟,加上制作難度、成本均高,因此距離大量生產(chǎn)的階段仍有一段路途。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所追求的摩爾定律即將走向極限,3D IC逐漸受到重視,力成、爾必達(dá)以及聯(lián)電的攜手,結(jié)合了封裝、晶圓代工、記憶體制造等技術(shù),將可望成為市場(chǎng)領(lǐng)頭羊。
力成表示,透過這項(xiàng)合作將能促進(jìn)完整解決方案的開發(fā),其中包括邏輯+DRAM介面設(shè)計(jì)、TSV結(jié)構(gòu)、晶圓薄化、測(cè)試與晶片堆疊組裝。這項(xiàng)技術(shù)預(yù)期能增加成本上的競爭力,改善邏輯良率效應(yīng),并且加速進(jìn)入3D IC市場(chǎng)的時(shí)間。
力成也強(qiáng)調(diào),為了布局3D IC,籌設(shè)的新竹廠已經(jīng)建設(shè)完成,且機(jī)器設(shè)備也陸續(xù)到位,預(yù)計(jì)第三季就會(huì)開始進(jìn)入試產(chǎn),預(yù)計(jì)將投入WLP、C2 Bumping、TSV-MEOL,BEOL、Si-interposer等封裝技術(shù),這也將是力成于2012年之后的主要競爭利基。





