臺(tái)積電(2330)今(26)日宣布，已順利在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)(Open Innovation PlatformTM)上，建構(gòu)完成28奈米設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境，同時(shí)客戶(hù)采用開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)所規(guī)劃的28奈米新產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape out)數(shù)量已經(jīng)達(dá)到89個(gè)。此外，臺(tái)積電亦將于美國(guó)加州圣地牙哥舉行的年度設(shè)計(jì)自動(dòng)化會(huì)議(DAC)中，發(fā)表包括設(shè)計(jì)參考流程12.0版(Reference Flow 12.0)、類(lèi)比/混合訊號(hào)參考流程2.0版(Analog/Mixed Signal Reference Flow 2.0)等多項(xiàng)最新的客制化設(shè)計(jì)工具，強(qiáng)化既有的開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境。

臺(tái)積電指出，28奈米設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境已準(zhǔn)備就緒，提供包括設(shè)計(jì)法則檢查(DRC)、布局與電路比較(LVS)及制程設(shè)計(jì)套件(PDK)的基礎(chǔ)輔助設(shè)計(jì)；在基礎(chǔ)矽智財(cái)方面有標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)(standard cell libraries)及記憶體編譯器(memory compilers)；另外，此設(shè)計(jì)架構(gòu)亦提供USB、PCI與DDR/LPDDR等標(biāo)準(zhǔn)介面矽智財(cái)?？蛻?hù)可經(jīng)由TSMC-online下載這些設(shè)計(jì)工具與套件。

臺(tái)積電表示，一直以來(lái)與電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)夥伴在28奈米世代的合作相當(dāng)緊密，共同追求設(shè)計(jì)工具的一致性，改善設(shè)計(jì)結(jié)果。目前EDA主要領(lǐng)導(dǎo)廠商Cadence、Synopsys 與Mentor運(yùn)用于28奈米晶片上的可制造性設(shè)計(jì)統(tǒng)一(United DFM)架構(gòu)便是一個(gè)很好的例子。

而臺(tái)積電參考流程12.0版新增加許多特色，可應(yīng)用于透過(guò)矽基板(silicon interposer)及矽穿孔(TSV)技術(shù)制造生產(chǎn)的2.5-D/3-D ICs、提高28奈米以模型為基礎(chǔ)模擬可制造性設(shè)計(jì)的速度。另外，此參考流程亦可運(yùn)用在先進(jìn)電子系統(tǒng)階層設(shè)計(jì)(ESL)，整合臺(tái)積電的功率、效能及面積制程技術(shù)。

另外，此參考流程版本將首次呈現(xiàn)臺(tái)積電20奈米穿透式雙重曝影設(shè)計(jì)(Transparent Double Patterning)解決方案，持續(xù)累積在創(chuàng)新開(kāi)放平臺(tái)架構(gòu)下20奈米的設(shè)計(jì)能力。另外，類(lèi)比/混合訊號(hào)參考流程2.0版本提供先進(jìn)的多夥伴類(lèi)比/混合訊號(hào)設(shè)計(jì)流程，協(xié)助處理復(fù)雜度與日俱增的28奈米制程效能與設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，并解決在高階可制造性設(shè)計(jì)(Superior DFM)與設(shè)計(jì)規(guī)范限制(RDR)間相容性及可靠性問(wèn)題。