迎戰(zhàn)德儀 英飛凌買下奇夢(mèng)達(dá)12寸晶圓廠
時(shí)間:2011-05-16 05:55:00
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晶圓廠
英飛凌
奇夢(mèng)達(dá)
功率半導(dǎo)體
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[導(dǎo)讀]英飛凌(Infineon)12日宣布,以1.006億歐元收購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)位于德國(guó)德勒斯登的12寸晶圓廠,進(jìn)行策略性產(chǎn)能擴(kuò)張,成為繼德州儀器(TI)后,第二家以12寸晶圓生產(chǎn)類比晶片的半導(dǎo)體公司,除可進(jìn)一步強(qiáng)化英飛凌在功率半
英飛凌(Infineon)12日宣布,以1.006億歐元收購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)位于德國(guó)德勒斯登的12寸晶圓廠,進(jìn)行策略性產(chǎn)能擴(kuò)張,成為繼德州儀器(TI)后,第二家以12寸晶圓生產(chǎn)類比晶片的半導(dǎo)體公司,除可進(jìn)一步強(qiáng)化英飛凌在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的地位外,亦為迎戰(zhàn)德州儀器凌厲的攻勢(shì)做好準(zhǔn)備。
英飛凌亞太區(qū)總裁暨執(zhí)行董事張仰學(xué)表示,該公司將視市場(chǎng)需求狀況來(lái)規(guī)畫12寸晶圓產(chǎn)能上線時(shí)間。
透過(guò)取得該12寸晶圓制造設(shè)備,英飛凌為將來(lái)12寸功率半導(dǎo)體的量產(chǎn)潛能奠定重要的基礎(chǔ)。英飛凌亞太區(qū)總裁暨執(zhí)行董事張仰學(xué)表示,自金融海嘯漸遠(yuǎn)離起,英飛凌即已開(kāi)始投入12寸晶圓量產(chǎn)的布局,目前相關(guān)研發(fā)工作正緊鑼密鼓展開(kāi),一旦正式導(dǎo)入12寸晶圓生產(chǎn),將可為英飛凌增加大量的額外產(chǎn)能,對(duì)該公司在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展將有莫大助益。
事實(shí)上,英飛凌正致力于12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)劃,針對(duì)以薄晶圓技術(shù)生產(chǎn)12寸晶圓功率半導(dǎo)體進(jìn)行評(píng)估。為此,該公司已在位于奧地利菲拉赫(Villach)的工廠架設(shè)試產(chǎn)線。而本次購(gòu)置的部分機(jī)器,將加入該試產(chǎn)線陣容。英飛凌計(jì)劃于今年會(huì)計(jì)年度內(nèi)決定12寸晶圓的量產(chǎn)時(shí)間和制造基地。
據(jù)了解,英飛凌在奧地利展開(kāi)的12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)工作,主要將用于超接合(Super Junction)技術(shù)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)電晶體(MOSFET)等功率半導(dǎo)體元件的生產(chǎn)。根據(jù)Yole Développement今年3月公布的研究資料顯示,未來(lái)5年,超接合MOSFET市場(chǎng)的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)將高達(dá)13%,而英飛凌目前以57%的占有率位居市場(chǎng)龍頭,意法半導(dǎo)體(ST)則以31%的市占緊追在后,而東芝(Toshiba)、快捷(Fairchild)、威世(Vishay)等業(yè)者也看好未來(lái)市場(chǎng)成長(zhǎng)潛力,急起直追。
此外,近來(lái)在類比晶片市場(chǎng)攻勢(shì)不斷的德州儀器,亦將功率半導(dǎo)體視為其首要搶攻市場(chǎng),除積極厚實(shí)產(chǎn)品組合與銷售陣容外,今年初新上線的成都8寸晶圓廠也全面投入MOSFET產(chǎn)品量產(chǎn),讓英飛凌、意法半導(dǎo)體等功率半導(dǎo)體大廠猶如芒刺在背。因此,不少市場(chǎng)人士咸認(rèn)為,英飛凌加碼12寸晶圓廠,除產(chǎn)能擴(kuò)張考量外,亦是防堵德州儀器在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)坐大的關(guān)鍵布局。
為因應(yīng)市場(chǎng)對(duì)MOSFET持續(xù)強(qiáng)勁的需求,英飛凌已準(zhǔn)備將2011會(huì)計(jì)年度的資本支出預(yù)算從約7億歐元增加到8.5億歐元,以完成此項(xiàng)交易及未來(lái)產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃。
英飛凌亞太區(qū)總裁暨執(zhí)行董事張仰學(xué)表示,該公司將視市場(chǎng)需求狀況來(lái)規(guī)畫12寸晶圓產(chǎn)能上線時(shí)間。
透過(guò)取得該12寸晶圓制造設(shè)備,英飛凌為將來(lái)12寸功率半導(dǎo)體的量產(chǎn)潛能奠定重要的基礎(chǔ)。英飛凌亞太區(qū)總裁暨執(zhí)行董事張仰學(xué)表示,自金融海嘯漸遠(yuǎn)離起,英飛凌即已開(kāi)始投入12寸晶圓量產(chǎn)的布局,目前相關(guān)研發(fā)工作正緊鑼密鼓展開(kāi),一旦正式導(dǎo)入12寸晶圓生產(chǎn),將可為英飛凌增加大量的額外產(chǎn)能,對(duì)該公司在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展將有莫大助益。
事實(shí)上,英飛凌正致力于12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)劃,針對(duì)以薄晶圓技術(shù)生產(chǎn)12寸晶圓功率半導(dǎo)體進(jìn)行評(píng)估。為此,該公司已在位于奧地利菲拉赫(Villach)的工廠架設(shè)試產(chǎn)線。而本次購(gòu)置的部分機(jī)器,將加入該試產(chǎn)線陣容。英飛凌計(jì)劃于今年會(huì)計(jì)年度內(nèi)決定12寸晶圓的量產(chǎn)時(shí)間和制造基地。
據(jù)了解,英飛凌在奧地利展開(kāi)的12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)工作,主要將用于超接合(Super Junction)技術(shù)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)電晶體(MOSFET)等功率半導(dǎo)體元件的生產(chǎn)。根據(jù)Yole Développement今年3月公布的研究資料顯示,未來(lái)5年,超接合MOSFET市場(chǎng)的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)將高達(dá)13%,而英飛凌目前以57%的占有率位居市場(chǎng)龍頭,意法半導(dǎo)體(ST)則以31%的市占緊追在后,而東芝(Toshiba)、快捷(Fairchild)、威世(Vishay)等業(yè)者也看好未來(lái)市場(chǎng)成長(zhǎng)潛力,急起直追。
此外,近來(lái)在類比晶片市場(chǎng)攻勢(shì)不斷的德州儀器,亦將功率半導(dǎo)體視為其首要搶攻市場(chǎng),除積極厚實(shí)產(chǎn)品組合與銷售陣容外,今年初新上線的成都8寸晶圓廠也全面投入MOSFET產(chǎn)品量產(chǎn),讓英飛凌、意法半導(dǎo)體等功率半導(dǎo)體大廠猶如芒刺在背。因此,不少市場(chǎng)人士咸認(rèn)為,英飛凌加碼12寸晶圓廠,除產(chǎn)能擴(kuò)張考量外,亦是防堵德州儀器在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)坐大的關(guān)鍵布局。
為因應(yīng)市場(chǎng)對(duì)MOSFET持續(xù)強(qiáng)勁的需求,英飛凌已準(zhǔn)備將2011會(huì)計(jì)年度的資本支出預(yù)算從約7億歐元增加到8.5億歐元,以完成此項(xiàng)交易及未來(lái)產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃。





