英特爾并未透露新晶體管技術(shù)細(xì)節(jié)，但「邏輯技術(shù)開發(fā)部門」主管波爾（Mark Bohr）指出，該公司將是首家把3D晶體管技術(shù)投產(chǎn)的業(yè)者，與現(xiàn)有的卅二納米制程相比，采用廿二納米制程的3D晶體管，可提高三七％效能，電力消耗僅2D一半。

英特爾自豪地稱，這是集成電路自一九五○年代問世以來，矽芯片設(shè)計最重大的進(jìn)展。執(zhí)行長歐德寧說，有了新科技加持，將可打造出更多「影響全世界的驚奇裝置」。

英特爾投入3D晶體管研發(fā)已近十年，原理近似在寸土寸金的城市蓋摩天大樓，爭取更多空間。在平面芯片架構(gòu)上，新增一道垂直置于基板的薄片，體積卻不會加大，創(chuàng)造更高效能，并延續(xù)「摩爾定律」（Moore’s Law）。

一九六五年，英特爾共同創(chuàng)辦人摩爾（Gordon Moore）預(yù)言，隨著芯片的制程技術(shù)進(jìn)步，芯片上的晶體管數(shù)目每十八個月可增加一倍，效能大幅增進(jìn)，即為所謂「摩爾定律」。

四十多年來，由于芯片尺寸越來越小，計算機越來越輕薄短小且價格低廉，但受到半導(dǎo)體制造成本日增的影響，摩爾定律面臨失效威脅。隨著3D晶體管問世，摩爾定律趨勢將可持續(xù)數(shù)年。

3D芯片也可望助英特爾在較弱的移動通信區(qū)塊，追上對手安謀（ARM）。市面上平板計算機與智能手機幾乎都采用安謀芯片，一般認(rèn)為它較英特爾的x86處理器更省電。

產(chǎn)業(yè)分析師對三閘技術(shù)多半抱持期待心理，市調(diào)機構(gòu)VLSI Research執(zhí)行長哈奇森說：「我們尋覓了幾十年，現(xiàn)在出現(xiàn)了革命性的技術(shù)變革。」

Mercury Research芯片分析師麥卡隆也認(rèn)為，盡管3D晶體管細(xì)節(jié)尚未明朗，但將引領(lǐng)潮流?！赣⑻貭枌?D晶體管量產(chǎn)，意味它已是完成體。」 另有分析師表示，英特爾可望領(lǐng)先對手一整個世代。臺灣的臺積電表示，兩年內(nèi)不會運用三閘技術(shù)。