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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電(2330)昨天宣布,在開放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)架構(gòu)下推出3套全新經(jīng)過矽晶驗(yàn)證的參考流程,以協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)16FinFET(鰭式場(chǎng)效存儲(chǔ)器)系統(tǒng)單芯片(SoC)及三維芯片堆疊(3D IC)封裝設(shè)計(jì),16納米也預(yù)定2015年4月量產(chǎn)

臺(tái)積電(2330)昨天宣布,在開放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)架構(gòu)下推出3套全新經(jīng)過矽晶驗(yàn)證的參考流程,以協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)16FinFET(鰭式場(chǎng)效存儲(chǔ)器)系統(tǒng)單芯片(SoC)及三維芯片堆疊(3D IC)封裝設(shè)計(jì),16納米也預(yù)定2015年4月量產(chǎn)。

張忠謀第2季法說會(huì)曾表示,臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年第1季進(jìn)行20 納米制程量產(chǎn),估計(jì)20納米占明年整體營收比重將達(dá)5%~1%。

外資指出,臺(tái)積電議價(jià)能力強(qiáng),且持續(xù)朝向先進(jìn)制程轉(zhuǎn)移迅速,將有助于產(chǎn)品ASP上揚(yáng),因此雖然臺(tái)積電資本支出不少,但應(yīng)不至于侵蝕獲利。




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