2011年4月25日在東京都內(nèi)召開了新聞發(fā)布會。（點擊放大）
新日本制鐵（新日鐵）與美國科銳就新一代功率半導體等采用的SiC基板，簽訂了雙方在全球所擁有專利的相互授權協(xié)議。雙方可相互利用SiC塊體基板和外延基板方面的專利?！澳康氖峭ㄟ^避免無謂的專利糾紛，在全球盡快建立起SiC功率半導體市場”（新日鐵技術開發(fā)本部研究員兼尖端技術研究所所長橋本操）。

據(jù)新日鐵介紹，日本的電子產(chǎn)品廠商在美國銷售采用該公司SiC基板的功率半導體產(chǎn)品時，如果該SiC基板與美國科銳在美國獲得的專利發(fā)生沖突，那么理論上科銳可以要求電子產(chǎn)品廠商停止銷售這些產(chǎn)品。同樣，在日本銷售采用科銳SiC基板的產(chǎn)品時，也會發(fā)生同樣的情況。對于電子產(chǎn)品廠商而言，這些都是不愿意遭遇的事態(tài)。

兩家公司簽訂專利相互授權協(xié)議，“便可以讓電子產(chǎn)品廠商在全球范圍內(nèi)放心使用SiC基板”（新日鐵技術開發(fā)本部、尖端技術研究所新材料研究部長大橋渡）。在Si半導體行業(yè)，競爭對手就基本專利簽訂相互授權協(xié)議并不少見，但在SiC領域“簽訂這樣的協(xié)議還是第一次”（新日鐵材料常務董事、SiC晶圓部部長伊藤睿）。

目前，功率半導體SiC基板的市場份額為“科銳公司占50～60％，本公司占5～6％”（伊藤）。科銳在SiC基板方面擁有很多關鍵的美國專利，而在日本的專利方面，新日鐵的專利被使用的業(yè)績更勝一籌。市場份額占絕對優(yōu)勢的科銳之所以與新日鐵簽訂相互授權，目的似乎還在于在擁有眾多功率半導體知名企業(yè)的日本擴大銷售額。

此次雙方達成的相互授權協(xié)議中涉及的專利“不包括（在SiC基板方面作為競爭源泉的）結晶生長技術專利”（伊藤），而僅限于與結晶生長等核心技術無關的專利；也不包括產(chǎn)品相互供應和技術轉讓，目前雙方還不打算涉及這些內(nèi)容。另外，此次的協(xié)議中還包括功率半導體以外用途的SiC基板，具體指LED用SiC基板等。新日鐵表示“在SiC基板業(yè)務方面，本公司目前專注于功率半導體用途”（橋本），顯示近期并不計劃涉足LED用SiC基板業(yè)務。（記者：大下 淳一）