工研院電光所所長詹益仁表示，半導體在后CMOS時代，制程及電晶體將面臨物理上微縮極限，奈米碳管及石墨稀等碳基材料是半導體界普遍看好未來取代矽晶材料的新材料，尤其是2010年諾貝爾獎肯定石墨稀材料的優(yōu)異表現(xiàn)后，產(chǎn)業(yè)界對以碳基材料取代矽材料更充滿信心。

由于奈米碳管及石墨稀具有優(yōu)異的機械、高導電及導熱特性，可突破物理上微縮困境，讓電晶體再行縮小，使電子有機會從矽基時代進入碳基時代，預計未來會先在下一世代邏輯電晶體、高頻元件及平面顯示器應用。

今年VLSI-TSA研討會分別就奈米碳管及石墨稀的碳基材料，邀請IBM、美國史丹佛大學、哥倫比亞大學、日本慶應義塾大學（Keio University）德國伊爾墨瑙工業(yè)大學（Technische Universitat Ilmenau）等專家學者分享國際間對碳基電子的奈米碳管電子及石墨稀等技術進展的前景。