ISPD2011聚焦3D、無光罩微影技術(shù)趨勢
“除了每年的設(shè)計競賽以外,從今年起,ISPD還將啟動另一項傳統(tǒng)──透過舉行紀(jì)念議程的方式來表揚實體設(shè)計領(lǐng)域的先驅(qū)們,歌頌其于建立實體設(shè)計產(chǎn)業(yè)的功勞,并探索如何追隨其腳步以發(fā)展未來的新方向,”ISPD 2011會議主席兼國立臺灣大學(xué)教授張耀文(Yao-Wen Chang)表示。
第一位獲得年度ISPD大獎殊榮的是紀(jì)念在電子設(shè)計自動化(EDA)領(lǐng)域貢獻(xiàn)良多的Phil Kaufman Awardee,以及前Cadence公司董事會成員Ernest Kuh,他曾經(jīng)參與首款Spice模擬器的開發(fā),也曾經(jīng)任加州柏克萊大學(xué)工程學(xué)院院長。
今年的年度設(shè)計大賽著重于解決在65nm節(jié)點以下阻礙微影配置的全域布線擁擠問題。過去幾年來,評分的標(biāo)準(zhǔn)一向是根據(jù)導(dǎo)線長度或布線性能的演算法配置為主,今年則改采“繞線完成度”(routability)作為評斷標(biāo)準(zhǔn)。
負(fù)責(zé)管理這項競賽的主席Natarajan Viswanathan,同時也是IBM奧斯汀研究實驗室系統(tǒng)與技術(shù)組研究人員。這項競賽為每一支參賽隊伍設(shè)定了八項具挑戰(zhàn)性的業(yè)界基準(zhǔn),以測試其于演算法配置的繞線完成度。最后的冠軍隊伍是來自香港中文大學(xué)教授楊鳳如與其博士班研究生團(tuán)隊所開發(fā)的“Ripple”。
第二名是來自加州大學(xué)洛杉磯分校教授Jason Cong與其實驗室團(tuán)隊共同開發(fā)的“mPL11”;而第三名是密西根大學(xué)教授Igor Markov與其團(tuán)隊的“SimPLR”;第四名則是國立臺灣大學(xué)教授張耀文與其團(tuán)隊開發(fā)的“RADIANT”。
最佳論文獎得主是德州大學(xué)教授David Pan與研究員Kun Yuan,他們?yōu)橹圃焐a(chǎn)環(huán)境采用了創(chuàng)新的電子束微影。由于電子光微影技術(shù)在半導(dǎo)體量產(chǎn)制造時的成本效益太低,因而目前該技術(shù)大多用于原型制造。但Pan與Yuan表示,在進(jìn)行雙重、三次或甚至四次微影曝光時,電子束已經(jīng)和越來越昂貴的光罩成本相當(dāng)。Pan與Yuan在其論文中建議采用模板規(guī)劃與最佳化演算法,可望使電子束微影加速量產(chǎn)。
同時,包括英特爾實驗室(Intel Labs)、Tezzaron Semiconductor與其它公司們也提出了邁向22nm以下的創(chuàng)新運算微影技術(shù)以及針對3D互連技術(shù)的TB級運算等先進(jìn)技術(shù)。例如,英特爾研究員Vivek Singh提出了多光罩鑄膜、創(chuàng)新光罩以及其它運算微影技術(shù)等,他表示這些都將是英爾公司未來在邁向14nm節(jié)點時的關(guān)鍵技術(shù)。
英特爾公司研究員Tanay Karnik則描述了一種DRAM上的3D處理器堆疊,包括其布局規(guī)劃、電源布線、輸入/輸出電流、測試與組裝等細(xì)節(jié)。Tezzaron Semiconductor技術(shù)長Bob Patti比較了3D晶堆疊的最新改善之處,包括功耗更低40%、密度提升4倍、性能提升超過300%,而成本更低50%。
根據(jù)特爾實驗室表示,在相同的晶片封裝中在記憶體晶片上實現(xiàn)網(wǎng)格連接的方式,可望使處理器堆疊實現(xiàn)TB級的效能。
編譯:Susan Hong
(參考原文: ISPD spots 3-D, maskless-lithography trends,by R. Colin Johnson)





