比利時IMEC宣布，美國GLOBALFOUNDRIES公司將參加該研究所的研發(fā)項目。發(fā)布資料顯示，GLOBALFOUNDRIES已在有關（1）22nm節(jié)點制程CMOS技術(shù)、（2）硅（Si）上氮化鎵（GaN）技術(shù)（GaN on Si技術(shù)）的戰(zhàn)略性長期合作協(xié)議上簽了字。

22nm節(jié)點制程CMOS技術(shù)開發(fā)項目以開發(fā)未來量產(chǎn)邏輯IC及存儲器所采用的工藝為目的。包括材料與元件構(gòu)造的研究、制造裝置與工藝的探索、整合及工藝平臺的構(gòu)建等。GLOBALFOUNDRIES預定與其他參加企業(yè)進行EUV（extreme ultraviolet）光刻技術(shù)、邏輯IC與存儲器用元件技術(shù)、納米布線技術(shù)及三維（3D）整合方面的合作。參加企業(yè)包括垂直統(tǒng)合型半導體廠商（IDM）、硅代工企業(yè)、無廠企業(yè)、采用輕晶園廠策略的半導體廠商、制造裝置廠商及部材廠商等。

GaN on Si技術(shù)開發(fā)項目的目標是開發(fā)出成本效率優(yōu)良的高性能GaN on Si元件。該項目將推進開發(fā)使用200mm晶圓的GaN on Si技術(shù)。IMEC目前正在為此招募IDM、硅代工企業(yè)、化合物半導體廠商、制造裝置廠商及晶圓廠商。（記者：長廣 恭明）