連于慧 聯(lián)電和記憶體大廠爾必達(Elpida)、記憶體模組大廠金士頓(Kingston)封測廠力成于2010年6月共同宣布協(xié)力開發(fā)3D IC技術(shù)和矽穿孔(Through Silicon Vias;TSV)制程技術(shù)，借著聯(lián)電的邏輯制程技術(shù)，加上爾必達記憶體制程共同投入資源研發(fā)，聯(lián)電會將此技術(shù)導入28奈米制程，預計于2012年可進入量產(chǎn)。

TSV 3D IC技術(shù)可應用于邏輯IC、記憶體晶片、影像感測元件、功率放大器、MEMS等領(lǐng)域。其他如三星電子(Samsung Electronics)等大廠也投入TSV 3D IC技術(shù)發(fā)展。

TSV為直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via)封裝技術(shù)，讓3D封裝遵循摩爾定律(Moore's Law)演進的互連技術(shù)，TSV概念是堆疊多個晶片，可讓電力互相連接的三次元堆疊封裝(Stack Package)，TSV可使2D平面晶片技術(shù)演進至3D堆疊技術(shù)。

再者，TSV的晶片堆疊并不是用打線接合(Wire Bonding)的方式，而是在晶片鉆出小洞，從底部填充入金屬，作法是在每一個矽晶圓上以蝕刻或雷射方式鉆孔，再以導電材料如銅、多晶矽、鎢等物質(zhì)填滿，達成連接的功能，最后將晶圓薄化再加以堆疊。

雖然業(yè)界認為2012年TSV 3D IC技術(shù)將進入量產(chǎn)，但也有分析師認為此技術(shù)的成熟度和商業(yè)化可能需要更久的時間。(? s于慧)