Aptina 1.1微米背照式制程
[導(dǎo)讀]胡皓婷 全球CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor;CIS)大廠Aptina積極布局相關(guān)市場(chǎng),預(yù)期至2012年起,1,200萬(wàn)畫(huà)素CIS將成為下一代趨勢(shì)。為符合終端需求,Aptina在1.4微米產(chǎn)品外,再推出1.1微米背照式(Backside Illumin
胡皓婷 全球CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor;CIS)大廠Aptina積極布局相關(guān)市場(chǎng),預(yù)期至2012年起,1,200萬(wàn)畫(huà)素CIS將成為下一代趨勢(shì)。為符合終端需求,Aptina在1.4微米產(chǎn)品外,再推出1.1微米背照式(Backside Illumination;BSI)制程CIS。
隨著手機(jī)所搭載的像素提升,微米背照式制程也不斷精進(jìn)。2009年多以1.75微米居多,至2010年時(shí)已可見(jiàn)到1.4微米浮出臺(tái)面,預(yù)計(jì)2011年1.4微米以及1.1微米將成為市場(chǎng)主流,下一世代0.9微米已蓄勢(shì)待發(fā)。為提升影像品質(zhì),Aptina將推出1.4微米以及1.1微米的背照式CIS,此背照式產(chǎn)品采用公司原應(yīng)用于前照式(FSI)的A-Pix技術(shù),以增強(qiáng)背照式產(chǎn)品聚光性能和串?dāng)_控制。
而自2010年第4季以來(lái),因晶圓端8吋產(chǎn)能吃緊,導(dǎo)致CIS出現(xiàn)供應(yīng)吃緊現(xiàn)象,因公司在大股東晶圓廠生產(chǎn),完全無(wú)此疑慮,供貨十分順暢。(胡皓婷)
隨著手機(jī)所搭載的像素提升,微米背照式制程也不斷精進(jìn)。2009年多以1.75微米居多,至2010年時(shí)已可見(jiàn)到1.4微米浮出臺(tái)面,預(yù)計(jì)2011年1.4微米以及1.1微米將成為市場(chǎng)主流,下一世代0.9微米已蓄勢(shì)待發(fā)。為提升影像品質(zhì),Aptina將推出1.4微米以及1.1微米的背照式CIS,此背照式產(chǎn)品采用公司原應(yīng)用于前照式(FSI)的A-Pix技術(shù),以增強(qiáng)背照式產(chǎn)品聚光性能和串?dāng)_控制。
而自2010年第4季以來(lái),因晶圓端8吋產(chǎn)能吃緊,導(dǎo)致CIS出現(xiàn)供應(yīng)吃緊現(xiàn)象,因公司在大股東晶圓廠生產(chǎn),完全無(wú)此疑慮,供貨十分順暢。(胡皓婷)





