國際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會（SEMI）發(fā)布了有關(guān)半導(dǎo)體生產(chǎn)線設(shè)備投資的最新預(yù)測“World Fab Forecast”。根據(jù)該預(yù)測，世界半導(dǎo)體生產(chǎn)線建設(shè)費和制造裝置導(dǎo)入費加起來的總設(shè)備投資額，2011年將將比上年增加22％達472億美元。據(jù)SEMI介紹，這將超過此前2007年峰值時的464億美元，創(chuàng)下歷史新記錄。

新建生產(chǎn)線數(shù)量將減少

其中，半導(dǎo)體生產(chǎn)線方面，2010年之前的新建生產(chǎn)線數(shù)量有20多條，2011年以后將在1位數(shù)左右。SEMI預(yù)測認(rèn)為，尤其是300mm晶圓生產(chǎn)線的新建數(shù)量，與過去10年相比，今后2年內(nèi)將急劇下滑。所有生產(chǎn)線的新建數(shù)量方面，2011年有7條（其中面向LED的有5條），2012年有4條。其中，300mm生產(chǎn)線的新建數(shù)量方面，2011年有1條（美國英特爾），2012年有3條（其中2條可能會支持450mm晶圓）。2010年的新建生產(chǎn)線有7條（包括研發(fā)生產(chǎn)線在內(nèi)）。另外，SEMI首次在此次預(yù)測中透漏，450mm生產(chǎn)線（屬于研發(fā)生產(chǎn)線、試制生產(chǎn)線或量產(chǎn)線中的一種）已經(jīng)亮相。其中，SEMI預(yù)測首條生產(chǎn)線將在2013年建成。

制造裝置導(dǎo)入費用將穩(wěn)步增長

制造裝置導(dǎo)入費用將比上年增加28％達436億美元，呈現(xiàn)出較高的增長態(tài)勢。其核心是現(xiàn)有生產(chǎn)線的改造和和擴建。呈現(xiàn)較高增長態(tài)勢的理由是，英特爾和臺灣臺積電（TSMC）等近年一直堅持進行大型設(shè)備投資的半導(dǎo)體廠商，計劃2011年繼續(xù)增加設(shè)備投資額。具體情況是，英特爾2011年將把2010年的52億美元設(shè)備投資額增加至87～93億美元。同樣，臺積電將從59億美元增加至78億美元，美國GLOBALFOUNDRIES將由27億美元增至54億美元。另外，韓國三星電子將把設(shè)備投資額從2010年的113億美元減至2011年的92億美元，即便如此仍保持了高水平的設(shè)備投資。

晶圓處理能力的增長率為5％～9％

SEMI認(rèn)為，鑒于上述設(shè)備投資形勢，2011年以后的晶圓處理能力（分離式半導(dǎo)體器件除外）將以5％～9％的速度順利提高。也就是說，2011年的晶圓處理能力將比上年增加9％，2012～2014年均將比上年增加7％。（記者：長廣 恭明）