SEMI預(yù)測:2011年半導(dǎo)體設(shè)備投資額將超過2007年
[導(dǎo)讀]國際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(SEMI)發(fā)布了有關(guān)半導(dǎo)體生產(chǎn)線設(shè)備投資的最新預(yù)測“World Fab Forecast”。根據(jù)該預(yù)測,世界半導(dǎo)體生產(chǎn)線建設(shè)費(fèi)和制造裝置導(dǎo)入費(fèi)加起來的總設(shè)備投資額,2011年將將比上年增加22%達(dá)472億
國際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(SEMI)發(fā)布了有關(guān)半導(dǎo)體生產(chǎn)線設(shè)備投資的最新預(yù)測“World Fab Forecast”。根據(jù)該預(yù)測,世界半導(dǎo)體生產(chǎn)線建設(shè)費(fèi)和制造裝置導(dǎo)入費(fèi)加起來的總設(shè)備投資額,2011年將將比上年增加22%達(dá)472億美元。據(jù)SEMI介紹,這將超過此前2007年峰值時的464億美元,創(chuàng)下歷史新記錄。
新建生產(chǎn)線數(shù)量將減少
其中,半導(dǎo)體生產(chǎn)線方面,2010年之前的新建生產(chǎn)線數(shù)量有20多條,2011年以后將在1位數(shù)左右。SEMI預(yù)測認(rèn)為,尤其是300mm晶圓生產(chǎn)線的新建數(shù)量,與過去10年相比,今后2年內(nèi)將急劇下滑。所有生產(chǎn)線的新建數(shù)量方面,2011年有7條(其中面向LED的有5條),2012年有4條。其中,300mm生產(chǎn)線的新建數(shù)量方面,2011年有1條(美國英特爾),2012年有3條(其中2條可能會支持450mm晶圓)。2010年的新建生產(chǎn)線有7條(包括研發(fā)生產(chǎn)線在內(nèi))。另外,SEMI首次在此次預(yù)測中透漏,450mm生產(chǎn)線(屬于研發(fā)生產(chǎn)線、試制生產(chǎn)線或量產(chǎn)線中的一種)已經(jīng)亮相。其中,SEMI預(yù)測首條生產(chǎn)線將在2013年建成。
制造裝置導(dǎo)入費(fèi)用將穩(wěn)步增長
制造裝置導(dǎo)入費(fèi)用將比上年增加28%達(dá)436億美元,呈現(xiàn)出較高的增長態(tài)勢。其核心是現(xiàn)有生產(chǎn)線的改造和和擴(kuò)建。呈現(xiàn)較高增長態(tài)勢的理由是,英特爾和臺灣臺積電(TSMC)等近年一直堅(jiān)持進(jìn)行大型設(shè)備投資的半導(dǎo)體廠商,計(jì)劃2011年繼續(xù)增加設(shè)備投資額。具體情況是,英特爾2011年將把2010年的52億美元設(shè)備投資額增加至87~93億美元。同樣,臺積電將從59億美元增加至78億美元,美國GLOBALFOUNDRIES將由27億美元增至54億美元。另外,韓國三星電子將把設(shè)備投資額從2010年的113億美元減至2011年的92億美元,即便如此仍保持了高水平的設(shè)備投資。
晶圓處理能力的增長率為5%~9%
SEMI認(rèn)為,鑒于上述設(shè)備投資形勢,2011年以后的晶圓處理能力(分離式半導(dǎo)體器件除外)將以5%~9%的速度順利提高。也就是說,2011年的晶圓處理能力將比上年增加9%,2012~2014年均將比上年增加7%。(記者:長廣 恭明)
新建生產(chǎn)線數(shù)量將減少
其中,半導(dǎo)體生產(chǎn)線方面,2010年之前的新建生產(chǎn)線數(shù)量有20多條,2011年以后將在1位數(shù)左右。SEMI預(yù)測認(rèn)為,尤其是300mm晶圓生產(chǎn)線的新建數(shù)量,與過去10年相比,今后2年內(nèi)將急劇下滑。所有生產(chǎn)線的新建數(shù)量方面,2011年有7條(其中面向LED的有5條),2012年有4條。其中,300mm生產(chǎn)線的新建數(shù)量方面,2011年有1條(美國英特爾),2012年有3條(其中2條可能會支持450mm晶圓)。2010年的新建生產(chǎn)線有7條(包括研發(fā)生產(chǎn)線在內(nèi))。另外,SEMI首次在此次預(yù)測中透漏,450mm生產(chǎn)線(屬于研發(fā)生產(chǎn)線、試制生產(chǎn)線或量產(chǎn)線中的一種)已經(jīng)亮相。其中,SEMI預(yù)測首條生產(chǎn)線將在2013年建成。
制造裝置導(dǎo)入費(fèi)用將穩(wěn)步增長
制造裝置導(dǎo)入費(fèi)用將比上年增加28%達(dá)436億美元,呈現(xiàn)出較高的增長態(tài)勢。其核心是現(xiàn)有生產(chǎn)線的改造和和擴(kuò)建。呈現(xiàn)較高增長態(tài)勢的理由是,英特爾和臺灣臺積電(TSMC)等近年一直堅(jiān)持進(jìn)行大型設(shè)備投資的半導(dǎo)體廠商,計(jì)劃2011年繼續(xù)增加設(shè)備投資額。具體情況是,英特爾2011年將把2010年的52億美元設(shè)備投資額增加至87~93億美元。同樣,臺積電將從59億美元增加至78億美元,美國GLOBALFOUNDRIES將由27億美元增至54億美元。另外,韓國三星電子將把設(shè)備投資額從2010年的113億美元減至2011年的92億美元,即便如此仍保持了高水平的設(shè)備投資。
晶圓處理能力的增長率為5%~9%
SEMI認(rèn)為,鑒于上述設(shè)備投資形勢,2011年以后的晶圓處理能力(分離式半導(dǎo)體器件除外)將以5%~9%的速度順利提高。也就是說,2011年的晶圓處理能力將比上年增加9%,2012~2014年均將比上年增加7%。(記者:長廣 恭明)





