比利時(shí)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC最近宣布在其設(shè)在比利時(shí)魯汶的研究設(shè)施中安裝了一臺(tái)ASML生產(chǎn)的NXE:3100試產(chǎn)型EUV光刻機(jī)。IMEC機(jī)構(gòu)的總裁 兼CEO Luc Van den hove會(huì)在今天召開的SPIE高級(jí)光刻技術(shù)會(huì)議（SPIE advanced lithography conference）上所作的演講中介紹這臺(tái)光刻機(jī)的有關(guān)信息。這次IMEC安裝的NXE:3100 EUV光刻機(jī)配備了高功率優(yōu)化光源系統(tǒng)，彰顯了IMEC欲將EUVL技術(shù)推廣向?qū)嵱妙I(lǐng)域的雄心。


NXE:3100光刻機(jī)配備了采用放電激發(fā)等離子體技術(shù)（DPP (discharge produced plasma)）的EUV光源系統(tǒng)，這套光源系統(tǒng)由Extreme Technologies公司制作。在同樣的制程條件下，NXE:3100的晶圓加工產(chǎn)出量相比早先推出的EUV Alpha Demo Tool光刻機(jī)提升了20倍左右，而產(chǎn)出量的極大提升則是源自于新機(jī)型光源功率的提升，透射率的提升以及雙工作臺(tái)(dual stage：即可同時(shí)加工兩片晶圓)的新設(shè)計(jì)。


pattern collapse圖例

IMEC的EUVL技術(shù)研究計(jì)劃的主要課題是，將14nm制程邏輯電路和2xnm及1xnm制程存儲(chǔ)電路集成在一起制造，并解決制造過(guò)程中使用EUV與傳統(tǒng)光刻系統(tǒng)在芯片制造工藝方面存在差異的問(wèn)題，另外，研究的課題還將包括如何解決EUV光刻圖形線邊緣粗糙度不佳，以及圖形倒線（pattern collapse），掩膜版缺陷（ reticle defectivity）等問(wèn)題。IMEC光刻技術(shù)分部的主管Kurt Ronse說(shuō)：“本周我們會(huì)在SPIE高級(jí)光刻技術(shù)會(huì)議上公開28份技術(shù)文件，這些文件會(huì)介紹我們和我們的合作伙伴一起在EUV光阻和掩膜版缺陷控制方面所取得一些重大成就?！?br>