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英特爾將在美建設(shè)14nm工藝以后的工廠投資超過50億美元

時間：2011-02-22 06:09:00

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[導(dǎo)讀]亞利桑那州錢德勒的“Fab 32” （點擊放大）美國英特爾宣布，將在美國亞利桑那州錢德勒建設(shè)14nm工藝以后的半導(dǎo)體工廠“Fab42”（英文發(fā)布資料1）。計劃2011年中期開工建設(shè)，2013年竣工。據(jù)英特爾介紹，該工廠為3

亞利桑那州錢德勒的“Fab 32” （點擊放大）
美國英特爾宣布，將在美國亞利桑那州錢德勒建設(shè)14nm工藝以后的半導(dǎo)體工廠“Fab42”（英文發(fā)布資料1）。計劃2011年中期開工建設(shè)，2013年竣工。據(jù)英特爾介紹，該工廠為300mm晶圓量產(chǎn)生產(chǎn)線，總投資額預(yù)計為50億美元以上?！皩⑹侨蜃钕冗M(jìn)的半導(dǎo)體工廠”（英特爾）。

英特爾目前在亞利桑那州錢德勒擁有兩家半導(dǎo)體工廠（“Fab 12”和“Fab 32”）。Fab42是英特爾在當(dāng)?shù)亟ㄔO(shè)的第三座半導(dǎo)體工廠。該公司高級副總裁兼制造與供應(yīng)事業(yè)部總經(jīng)理Brian Krzanich在此次的新聞發(fā)布資料中發(fā)表評論稱，F(xiàn)ab42“將采用最小加工尺寸為14nm的工藝技術(shù)開始量產(chǎn)”。如果利用基于這些最尖端工藝技術(shù)制造的半導(dǎo)體芯片，“在用于服務(wù)器的高端機(jī)型到便攜終端的廣泛用途時，終端產(chǎn)品的工作速度及電力効率可實現(xiàn)飛躍性提高”（Krzanich）。

美國奧巴馬總統(tǒng)在2011年2月18日視察了英特爾位于俄勒岡州希爾斯伯勒的研發(fā)量產(chǎn)基地，英特爾總裁兼首席執(zhí)行官Paul Otellini特選擇這一時機(jī)公開了工廠的建設(shè)計劃。Otellin在有關(guān)奧巴馬總統(tǒng)視察的新聞發(fā)布資料（資料2）中表示，F(xiàn)ab42“將為我們在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域維持領(lǐng)導(dǎo)性地位發(fā)揮主要作用”。Otellini在發(fā)布資料中還強(qiáng)調(diào)，隨著新工廠的建設(shè)及運(yùn)營，將為亞利桑那州提供數(shù)千個工作崗位。另外，Otellini同時還宣布英特爾計劃2011年以產(chǎn)品開發(fā)及研開人員為主，在美國雇傭4000人。（記者：大下淳一）

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