TSV制程以目前開發(fā)的技術(shù)及制程的先后順序，可分為先鉆孔(Via First)與后鉆孔(Via Last)；采用Via First制程均須在傳統(tǒng)后段封裝制程前進(jìn)行導(dǎo)孔形成(Via Forming)與導(dǎo)孔充填(Via Filling)的步驟，而此類制程的Via Forming均需要透過(guò)黃光顯影與蝕刻步驟形成導(dǎo)孔。

Via Last制程則主要是在傳統(tǒng)后段制程前以雷射鉆孔方式進(jìn)行Via Forming與后續(xù)的Via Filling步驟。由于導(dǎo)孔徑規(guī)格較蝕刻制程孔徑為大，使得I/O間距無(wú)法達(dá)成太小的規(guī)格，也造成芯片所能容納的腳數(shù)有限，因而適用于如影像傳感器或閃存(Flash)等較低腳數(shù)的應(yīng)用產(chǎn)品。(李洵穎)