富士通展示GaN功率晶體管的試制晶圓
[導(dǎo)讀]富士通半導(dǎo)體在“CEATEC JAPAN 2010”（2010年10月5～9日，幕張Messe會(huì)展中心）上，展示了集成GaN功率晶體管的直徑150mm的硅晶圓。在該元件量產(chǎn)線(xiàn)所在的會(huì)津若松市的工廠中進(jìn)行了試制。面向2012年的正式量產(chǎn)，將于20
富士通半導(dǎo)體在“CEATEC JAPAN 2010”（2010年10月5～9日，幕張Messe會(huì)展中心）上，展示了集成GaN功率晶體管的直徑150mm的硅晶圓。在該元件量產(chǎn)線(xiàn)所在的會(huì)津若松市的工廠中進(jìn)行了試制。面向2012年的正式量產(chǎn)，將于2011年上半年開(kāi)始樣品供貨。
此次開(kāi)發(fā)的GaN功率晶體管以在GaN類(lèi)材料的異質(zhì)架構(gòu)上形成的HEMT（高電子移動(dòng)度晶體管）為原型。通過(guò)像MOS FET一樣導(dǎo)入柵極絕緣膜，實(shí)現(xiàn)了常閉化。元件的耐壓為700V級(jí)，電流容量為20～40A。能在最高200℃的高溫下工作。
富士通半導(dǎo)體計(jì)劃首先面向富士通制造的服務(wù)器中使用的開(kāi)關(guān)電源量產(chǎn)此次的GaN功率晶體管。與此同時(shí)也將面向海外銷(xiāo)售。GaN功率晶體管的優(yōu)點(diǎn)是不僅可用于服務(wù)器，“還可用于個(gè)人電腦”（富士通半導(dǎo)體的解說(shuō)員）。例如，個(gè)人電腦用的DC-DC轉(zhuǎn)換器上的耐壓30V的元件，其運(yùn)行速度、耗電量和芯片面積等均優(yōu)于Si-MOSFET。
富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在GaN功率晶體管的量產(chǎn)中最初使用直徑150mm的硅晶圓，之后再加大到200mm以上。將來(lái)“還要使用300mm的生產(chǎn)線(xiàn)”（解說(shuō)員）。（記者：大下 淳一）
試制晶圓展示（點(diǎn)擊放大）
還展出了封裝后的產(chǎn)品（點(diǎn)擊放大）
此次開(kāi)發(fā)的GaN功率晶體管以在GaN類(lèi)材料的異質(zhì)架構(gòu)上形成的HEMT（高電子移動(dòng)度晶體管）為原型。通過(guò)像MOS FET一樣導(dǎo)入柵極絕緣膜，實(shí)現(xiàn)了常閉化。元件的耐壓為700V級(jí)，電流容量為20～40A。能在最高200℃的高溫下工作。
富士通半導(dǎo)體計(jì)劃首先面向富士通制造的服務(wù)器中使用的開(kāi)關(guān)電源量產(chǎn)此次的GaN功率晶體管。與此同時(shí)也將面向海外銷(xiāo)售。GaN功率晶體管的優(yōu)點(diǎn)是不僅可用于服務(wù)器，“還可用于個(gè)人電腦”（富士通半導(dǎo)體的解說(shuō)員）。例如，個(gè)人電腦用的DC-DC轉(zhuǎn)換器上的耐壓30V的元件，其運(yùn)行速度、耗電量和芯片面積等均優(yōu)于Si-MOSFET。
富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在GaN功率晶體管的量產(chǎn)中最初使用直徑150mm的硅晶圓，之后再加大到200mm以上。將來(lái)“還要使用300mm的生產(chǎn)線(xiàn)”（解說(shuō)員）。（記者：大下 淳一）
試制晶圓展示（點(diǎn)擊放大）
還展出了封裝后的產(chǎn)品（點(diǎn)擊放大）
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