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[導讀]量測設備儀器廠科磊(KLA-Tencor)指出,隨著40奈米以下先進制程對于良率提升需求,科磊已陸續(xù)推出多樣系列產品,并已跨入20奈米、10奈米級等先進制程,預期2010年將有22樣新產品問世,帶動業(yè)績成長。 目前科磊在全

量測設備儀器廠科磊(KLA-Tencor)指出,隨著40奈米以下先進制程對于良率提升需求,科磊已陸續(xù)推出多樣系列產品,并已跨入20奈米、10奈米級等先進制程,預期2010年將有22樣新產品問世,帶動業(yè)績成長。

目前科磊在全球已安裝2.3萬部機臺,全球員工超過5,100人,過去4年來投入逾15億美元的研發(fā)經費??评诘?季凈利1.13億美元,每股稅后盈余0.66美元,與2009年同期相比,順利轉虧為盈,科磊也預期,2010全年營收將達18億美元。

科磊營銷長Brian Trafas指出,2010年由于內存廠與晶圓代工廠大舉投資,帶動機臺接單暢旺,其中62%訂單來自于亞太地區(qū),20%來自于北美地區(qū),11%來自于日本,另外7%來自歐洲地區(qū)。

科磊臺灣區(qū)總經理張水榮指出,隨著芯片走向40奈米以下先進制程,芯片設計空間更小,光罩也需要做更多,另一方面,材料應用門坎也更高,芯片裝置設計復雜化,皆使得芯片瑕疵檢測難度更高。

拿40奈米制程與90奈米相較,90奈米制程步驟約550道,4x奈米則需要約1000道工序。在光罩方面,90奈米需要31道工序,40奈米則需要50道;在新材料方面,90奈米約15種,40奈米則超過45種,顯示40奈米制程困難度大幅提升。

Br! ian Trafas表示,為因應大量40奈米以下先進制程的檢測需求,科磊在2010年推出多樣新品,包括Aleris8330系列晶圓檢測機臺,大幅提升在32奈米制程的競爭力;另外,針對2x奈米節(jié)點以下微影覆蓋控制需求,也推出Archer 300CLM迭對(overlay)量測系統(tǒng)。

另一方面,針對光罩檢測,也推出TeraFabHT系列產品,搭配eDR-5210S電子束檢測機臺,協(xié)助客戶提升光罩制程速度,進一步加速量產速度。另外也推出新的服務模式KlearPoint,能夠加速實時在線檢測,減少制= 中需要停機進行檢測的損耗。

Brian Trafas指出,與2009年相較,核心產品(晶圓檢測、光罩檢測、量測設備與太陽能/LED后段檢測設備)訂單成長207%,非半導體類產品訂單成長86%,服務則成長13%。相較于2006年推出14樣新產品,2010年科磊將推出22件新產品。

Brian Trafas進一步指出,公司預期未來10年,在產能需求與制程技術提升等驅力之下核心產品銷售將成長8%,伴隨安裝的設備增加,服務營收預期將成長11~14%,至于太陽能與LED由于基期較低,市場成長潛力強勁,可望成長超過2成。

在臺灣布局方面,張水榮表示,目前科磊在臺灣約341位員工,分布于桃園、新竹、臺中及臺南等4個據點。張水榮指出,過去一段時間,許多科技廠關閉位于臺中的生產基地,不過科磊并未跟進,因此2010年也順利接到臺積電中科晶圓15廠訂單。

太陽能產品方面,科磊指出,歸功于過去幾年的購并策略,使科磊獲得許多新的技術支持,目前ICOS系統(tǒng)出貨已超過1000臺,具有里程碑意義。

Brian Trafas指出,有鑒于自2006年起進行的8件購并與策略聯(lián)盟的成功案例,未來科磊也將持續(xù)積極進行購并策略。


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