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晶圓雙雄接連調(diào)高資本支出拼市占

時間：2010-08-05 08:03:00

關(guān)鍵字：晶圓聯(lián)電臺積電半導體業(yè)

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[導讀]晶圓代工廠臺積電日前調(diào)升資本支出，聯(lián)電也于4日跟進，宣布將資本支出提高至18億美元，晶圓雙雄皆積極擴充先進制程產(chǎn)能，而在上半年，受惠于全球景氣復蘇，晶圓雙雄接單滿載，即便有三星電子(Samsung Electronics)、

晶圓代工廠臺積電日前調(diào)升資本支出，聯(lián)電也于4日跟進，宣布將資本支出提高至18億美元，晶圓雙雄皆積極擴充先進制程產(chǎn)能，而在上半年，受惠于全球景氣復蘇，晶圓雙雄接單滿載，即便有三星電子(Samsung Electronics)、全球晶圓(Global Foundries)等追兵，不過晶圓雙雄仍維持穩(wěn)健地位，在全球半導體業(yè)排名中，臺積電擠進前5名，聯(lián)電更大幅前進6個名次，擠進前20名。

聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉指出，聯(lián)電致力于客制化先進技術(shù)開發(fā)與產(chǎn)品組合調(diào)整，在擴大客戶及業(yè)務(wù)層面、提升獲利能力均展現(xiàn)具體成效，為持續(xù)提升競爭力并追求穩(wěn)健成長，因此將2010年資本支出將調(diào)升至18億美元，以滿足客戶在高階技術(shù)與產(chǎn)能之需求。

孫世偉強調(diào)，聯(lián)電投入的資本支出用以建置高階產(chǎn)能，目前機臺采購與裝置進度順利，2010年新加坡 Fab12i 廠大幅建置65/55奈米產(chǎn)能以服務(wù)客戶，在臺南科學園區(qū) Fab12A廠的第3期無塵室已于7月提前竣工并全力進行機臺移入，預計在年底前開始產(chǎn)出，2011年將可加速貢獻40奈米營收。

臺積電日前也將2010年資本支出由原訂的48億美元，調(diào)高至59億美元，主要用于擴充65奈米、40奈米及28奈米制程產(chǎn)能，在加速產(chǎn)能擴充計劃后，2010年臺? n電總產(chǎn)能= 達1,129.9萬片8吋約當晶圓規(guī)模，較2009年增加14%，

晶圓雙雄臺積電、聯(lián)電對下半年景氣陸續(xù)釋出樂觀看法，市調(diào)機構(gòu)iSuppli也同步上修2010年半導體純晶圓代工產(chǎn)業(yè)的營收預測，由原預估的較2009年成長39.5%，上修至較2009年成長42.3%，營收規(guī)模將達到298億美元。

在景氣復蘇，接單暢旺下，臺積電與聯(lián)電在先進制程上頗有斬獲，在全球半導體業(yè)排名雙雙提升，臺積電由2009年的第6名，提升至第5名，晉身全球前五大半導體廠，僅次于英特爾(Intel)、三星、德儀(TI)與東芝。聯(lián)電也從2009年的24名，大幅提升6個名次，擠進前20大，排名第18名。

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