臺積電昨（11）日舉行例行性董事會，總共核準(zhǔn)16.466億美元資本支出預(yù)算，包括核準(zhǔn)10.516億美元用來擴充竹科12吋廠Fab12及南科12吋廠Fab14的先進制程產(chǎn)能，核準(zhǔn)3.85億美元擴充及升級8吋廠產(chǎn)能，及核準(zhǔn)2.1億美元在中科興建12吋廠Fab15等。

此外，臺積電董事會也決議，全面換發(fā)為無實體股票，轉(zhuǎn)換日訂為今年的7月13日。

臺積電今年資本支出預(yù)計達48億美元，第1季已花費14.44億美元，主要用于采購40奈米先進制程所需之浸潤式微影（immersion lithography）設(shè)備及其它生產(chǎn)機臺，臺積電昨日董事會中則再通過核準(zhǔn)10.516億美元用來擴充竹科12吋廠Fab12以及南科12吋廠Fab14的先進制程產(chǎn)能。

臺積電現(xiàn)在是全球唯一能量產(chǎn)40奈米制程的晶圓代工廠，不僅包括繪圖芯片雙雄英偉達（NVIDIA）及超威（AMD/ATI）擴大對臺積電下單，這一年來也陸續(xù)拿下耐特邏輯（NetLogic）、巨積（LSI）、富士通、阿爾特拉（Altera）、升陽、德儀、英飛凌等大客戶訂單。所以，臺積電董事長張忠謀日前指出，現(xiàn)在先進制程供給缺口達3成至4成，今年內(nèi)可能都無法滿足需求。

臺積電去年全年總產(chǎn)能達995.5萬片8吋約當(dāng)晶圓，今年預(yù)計總體產(chǎn)能將增加13％，全年總產(chǎn)能將達1,124.7萬片8吋約當(dāng)晶圓，其中12吋廠先進制程產(chǎn)能年增率將達35％，今年占總產(chǎn)能比重也將首度達到一半。

同時，臺積電為了明年布局，董事會也準(zhǔn)備2.1億美元資金，于中科園區(qū)興建12吋廠Fab15，預(yù)計該廠將成為臺積電40奈米及28奈米量產(chǎn)重鎮(zhèn)。