臺積電（TSMC）發(fā)布消息稱，美國LSI驗(yàn)證了該公司低功耗技術(shù)“PowerTrim”的效果。LSI公司利用臺積電65nm低功耗（LP）工藝制造的芯片，漏電耗能較原來削減了25％。

PowerTrim是臺積電獲得美國Tela Innovations獨(dú)家專利授權(quán)后向顧客提供的技術(shù)。在不影響芯片工作速度及面積的條件下，通過增加非關(guān)鍵路徑（Critical Path )上的晶體管柵極長度來控制柵極泄漏電流。該公司表示，其效果大于原來采用的對非關(guān)鍵路徑上的晶體管設(shè)置高閾值電壓的方法。

PowerTrim是作為OPC（光學(xué)接近修正）流程的一環(huán)實(shí)施的?？膳c多閾值電壓（Multi-Vth）技術(shù)及體偏置（Body Bias）技術(shù)等其他低功耗技術(shù)一同導(dǎo)入。（記者：大下 淳一）