宜普電源轉換公司(EPC)宣布再多一個車用氮化鎵(eGaN)器件(80 V的EPC2214)成功通過AEC Q101測試認證，可在車用及其它嚴峻環(huán)境支持多種全新應用。

基于氮化鎵(eGaN)技術的產(chǎn)品已進行量產(chǎn)超過9年，累計了數(shù)十億小時的實際汽車應用經(jīng)驗，包括全自動駕駛汽車的激光雷達及雷達系統(tǒng)、應用于數(shù)據(jù)中心計算機的48 V–12 V DC/DC轉換器、具有超高保真度的信息娛樂系統(tǒng)及高強度的貨車頭燈等應用。這些全新器件已經(jīng)通過嚴格的AEC Q101測試認證，隨后會推出更多面向嚴峻的車用環(huán)境的分立晶體管及集成電路。

EPC2214為80 V、20 mΩ氮化鎵場效應晶體管元件，超小占板面積(1.8平方毫米)，脈沖電流為47 A，非常適合在激光雷達(lidar)系統(tǒng)發(fā)射激光，因為FET觸發(fā)激光信號、產(chǎn)生大電流、極短脈寬，從而實現(xiàn)更高的分辨率，而更大脈沖電流使得激光雷達系統(tǒng)可以看到更遠的景物。這兩個特性，加上小尺寸及低成本，使得eGaN FET除了支持嚴峻的車用激光雷達系統(tǒng)外，也是雷達及超聲波傳感器的理想元件。

要通過AEC Q101認證測試，EPC的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)必需通過在嚴峻環(huán)境及不同偏壓的條件下的各種測試，包括偏壓濕度測試(H3TRB)、高溫反向偏壓(HTRB)、高溫柵極偏壓(HTGB)、溫度循環(huán)(TC)及其它多種不同的測試。要留意的是，EPC器件的芯片級封裝也通過采用傳統(tǒng)封裝的器件的所有相同測試標準，證明芯片級封裝具備卓越性能而器件同時保持堅固耐用及其高可靠性。這些eGaN器件在符合汽車質量管理系統(tǒng)標準IATF 16949的設備中生產(chǎn)。

EPC公司的首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱：“這個通過認證的車規(guī)級氮化鎵器件，是我們恒?；瞥鲕囉镁w管及集成電路產(chǎn)品路線圖的最新器件，旨在全力支持打造自動駕駛汽車的未來、節(jié)省汽油的使用量及提高駕駛的安全性。與目前車用、日益老化的硅基功率MOSFET相比，基于eGaN技術的產(chǎn)品的開關更快速、尺寸更小、效率更高、成本更低及更可靠。”