推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體，在7月3日至5日在上海舉辦的第13屆上海國(guó)際節(jié)能與新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(EV China 2019)，展示應(yīng)用于汽車(chē)功能電子化、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、汽車(chē)照明和車(chē)身電子的方案和技術(shù)。

汽車(chē)領(lǐng)域正迅速邁向采用純電動(dòng)汽車(chē)(EV)，并采用將最終實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)駕駛汽車(chē)的精密ADAS。安森美半導(dǎo)體在這一領(lǐng)域處于技術(shù)前沿，持續(xù)開(kāi)發(fā)和推出器件及集成的系統(tǒng)方案，以使強(qiáng)固、可靠并完全符合最新汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的高性能電子成分遍及整個(gè)車(chē)輛。

安森美半導(dǎo)體在其展位上作演示，使觀眾深入了解和看到這些演示的應(yīng)用的可能性。在汽車(chē)功能電子化領(lǐng)域，安森美半導(dǎo)體展示其符合車(chē)規(guī)的用于牽引逆變器的器件將直流電池電壓轉(zhuǎn)換為交流，包括最近推出的AFGHL50T65SQDC 650 V、50 A混合IGBT和碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SiC-SBD)技術(shù)，為汽車(chē)硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供最佳性能。

此外，安森美半導(dǎo)體展示其寬禁帶(WBG)技術(shù)，演示650 V SiC肖特基二極管晶圓及1200 V、80 mΩ SiC MOSFET晶圓。經(jīng)AEC-Q 101汽車(chē)認(rèn)證的SiC二極管和SiC MOSFET為重要的高增長(zhǎng)終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車(chē)DC-DC和電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器應(yīng)用帶來(lái)寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛的性能優(yōu)勢(shì)。SiC器件結(jié)合高功率密度和高能效工作，占位更小，可顯著減小整個(gè)系統(tǒng)的尺寸并降低成本。

安森美半導(dǎo)體也了展示其支持自動(dòng)駕駛的激光雷達(dá)(LiDAR)和圖像感知技術(shù)，可互為補(bǔ)足用于精密ADAS和自動(dòng)駕駛方案。

其它演示令觀眾清晰地了解安森美半導(dǎo)體用于電動(dòng)汽車(chē)充電樁、先進(jìn)LED照明及車(chē)身電子應(yīng)用的方案，如插電式混合動(dòng)力汽車(chē)(PHEV)和EV的正溫度系數(shù)(PTC)加熱、泊車(chē)輔助和靜音工作冷卻風(fēng)扇等。