通過20nm工藝，在單枚芯片上實現(xiàn)128Gbit。

　　美國英特爾和美光科技（Micron Technology）于2011年12月6日（當?shù)貢r間）發(fā)布了通過20nm級工藝技術制造的128Gbit MLC（2bit/單元）NAND閃存。美光科技NAND解決方案部門市場營銷總監(jiān)Kevin Kilbuck表示，“單枚芯片實現(xiàn)128Gbit在全球尚屬首次”?，F(xiàn)已開始向特定客戶樣品供貨，將在2012年1月向普通客戶樣品供貨，2012年上半年開始量產。

　　此次的20nm級工藝與原來同樣采用二維構造的浮柵型單元，不過為了支持微細化進行了改進。具體情況是，除了在控制柵和浮游柵之間的絕緣膜（IPD）中導入high-k膜外，還在控制柵中采用了金屬材料。由此可減小浮游柵厚度并實現(xiàn)平坦化，“可以抑制相鄰單元間的干擾”（Kilbuck）。

　　眾所周知，一般來說NAND閃存為了確?？刂茤排c浮游柵的電容耦合（Capacity Coupling）比，大多會加大浮游柵的厚度使其實現(xiàn)立體化，而利用high-k/金屬柵極的話，則可以減小浮游柵厚度并實現(xiàn)平坦化。美光科技將此次的技術稱為“Planar Cell”。

　　此次的128Gbit產品符合333M傳輸/秒的ONFI（Open NAND Flash Interface）3.0規(guī)格，可用于平板終端、智能手機和SSD等。將128Gbit產品層疊8層后集成在單個封裝中的1Tbit（128GB）產品，將在2012年第一季度樣品供貨、2012年中期量產。層疊的芯片采用引線鍵合連接。

　　在128Gbit產品之前，美光科技還將制造采用20nm工藝的64Gbit產品。64Gbit產品已開始樣品供貨，將從本月（2011年12月）開始量產。另外，生產將在英特爾和美光科技的合資生產公司——美國IM Flash Technologies的Lehi工廠（美國愛達荷州）等進行。技術熟練度得到提高后，將把技術移交給新加坡工廠。

20nm工藝采用二維單元。關于三維單元，目前正在研發(fā)，美光科技沒有透露引進時間和技術的詳細情況，不過這里展示的照片就是由該公司制作的原型產品。

　　此次，美光科技就SSD的市場動向進行了介紹。筆記本電腦用“客戶端SSD”的全球市場規(guī)模，在2014年將從2011年的約25億美元提高至70億美元。美光科技在該客戶端SSD市場上的份額目前約為10％。

　　據(jù)美光科技介紹，服務器及存儲器用“企業(yè)SSD”的全球市場規(guī)模在2011年還不到10億美元，2014年將發(fā)展到30億美元以上。美光科技在這個市場上的份額目前在5％以下。

　　美光科技2010年剛剛涉足SSD市場，產品線還比較少。今后計劃向客戶端SSD和企業(yè)SSD這兩個市場，提供種類豐富的SSD產品。此次美光科技還展示了具體的發(fā)展藍圖。將通過積極的產品拓展，“力爭擴大在SSD市場上的份額”（Kilbuck）。